一、相对论性粒子穿越势垒的渡越时间（论文文献综述）
关远帆[1]（2019）在《基于裂变法的中子探测器研究》文中研究指明中子测量在很多领域,尤其是先进核能领域,都非常有用。由于中子不带电荷,不能和物质发生电磁相互作用,中子的探测只能通过中子反应产生的次级带电粒子来完成。中子反应产生次级带电粒子的方法包括核反应法、核裂变法、核反冲法和核活化法等。由于裂变过程产生两个大的碎片,其输出信号幅度大、易于探测,核裂变法广泛地应用于反应堆的中子测量。本论文基于裂变法研制了两套中子探测器,第一套为裂变PPAC,是使用平行板雪崩计数器的方法,第二套为裂变电离室。平行板雪崩计数器（PPAC）具有灵敏面积大、时间分辨好、位置分辨高、和探测效率高等显着优点。本论文中研制的裂变PPAC探测器包括7层,左面三层用作第一套PPAC,右面三层用作第二套PPAC,第四层是隔离层,用于隔离两套PPAC。每套PPAC里的中间层用作阳极,另两层作阴极,各电极间距为3毫米。为了探测快中子,第二套PPAC的阳极上镀了238U（U3O8）材料。由于两套PPAC都能探测到γ,但是,只有第二套PPAC能探测到中子,经过电子学信号处理即可扣除γ本底。利用两套PPAC来进行γ补偿的上述方法,在世界上还是第一次提出。本文利用蒙特卡洛软件Geant4确定了238U镀层的最佳厚度,并计算了裂变PPAC的探测效率。此外,还使用了专用于气体电离分析的软件Garfield++对几种工作气体的电子漂移速度和平均增益进行了模拟,选出了最能适合快时间、低气压探测器的工作气体C4H10,并且用Garfield++模拟了磁场对电子漂移速度和裂变PPAC输出信号的影响。为了观测裂变PPAC探测器的性能,用241Am源和252Cf源对探测器进行了测试,测试过程中探测器工作气体为异丁烷,工作气压为6mbar或10mbar,采用流气模式工作。首先用241Am源对探测器在不同电压下的计数率进行测试,初步选择了裂变PPAC探测器的工作电压;然后在选定的工作电压下,测试252Cf中子源自发裂变产物在PPAC中的能量沉积谱,以及裂变PPAC的时间分辨率。由于252Cf源能同时发射一个自发裂变碎片和一个中子,通过符合测量这两个粒子,我们测得裂变PPAC探测器的时间分辨为164ps。由于裂变PPAC对工作气体、工作气压的要求较高,为了降低工作成本,文中研制了可在不同气体中工作的裂变电离室用于入射中子注量探测。裂变电离室的电极由内、外两个同心圆筒构成,内筒为阳极,外筒为阴极,电极间距2mm,通过在内筒（外筒）的外层（内层）分别电镀545μg/cm2的238U（UO2（OH）2）作为裂变靶,测得在空气和不同气压的Ar气环境下,裂变电离室有稳定的探测效率(平均值为8×10-7),而且能连续稳定工作超过3000小时。为了能更细致的研究裂变电离室测得的能量沉积谱,本文通过Geant4软件,模拟了在不同气压的Ar气下,分别来自内层靶和外层靶的裂变产物（Alpha粒子和裂变碎片）在工作气体中的能量沉积谱。比较探测效率的模拟值和测试值,结果显示两者之间的差异小于±5%。本工作中设计研发的裂变PPAC具有时间分辨率好、信号幅度大、长时间工作稳定的优点,可以通过飞行时间法测量反应堆堆外的中子能量;裂变电离室具有对工作气体要求低、长时间工作稳定的优点,适用于高本底环境下的中子注量监测工作,符合反应堆堆外中子监测的要求。
刘敏[2]（2016）在《InP/InGaAs HBTs电学特性及质子辐照研究》文中提出与同质结双极型晶体管相比,异质结双极型晶体管具有更为优越的频率特性。在众多HBT材料体系中,InP/InGaAs材料具有较大的禁带宽度、较高的饱和电子漂移速度以及良好的热导性、低噪声等优良特性,由其制备的HBT器件在商业用途和军用卫星的高性能电子通讯系统中有很大的应用前景。人造卫星在轨飞行过程中,会受到各种高能带电粒子的辐射,这些辐射对电子器件的性能有着强烈的影响,导致器件异常或失灵。为了更好地预估器件在空间环境中的运行情况,我们很有必要研究器件在辐射环境中的退化机制。质子是空间辐照环境中主要的辐射粒子,本文仅讨论质子辐照对InP/InGaAs HBTs器件的电学特性的影响。本文主要是从理论和实验两个方面,对InP/InGaAs异质PN结和InP/InGaAs HBTs两种器件的辐照效应进行了系统的研究。通过建立InP/InGaAs HBTs器件三维数值仿真模型,从理论上指导器件辐照实验,包括辐照剂量和能量等实验参数的确定。对辐照前后器件交直流参数进行测试分析,结合仿真软件,确定出辐照损伤机制和损伤区域,为开展器件的抗辐射加固奠定理论基础。主要研究工作和研究结果如下:1.基于SRIM仿真很好地解释了不同质子辐照条件下对InP、InGaAs材料和InP/InGaAs异质结产生的影响。不同条件就是相同能量条件下,剂量不同;相同剂量条件下,能量不同。不同剂量的仿真相当于一个剂量累积的过程,随着质子辐照剂量的增加,质子辐照引起的空位浓度逐渐增加,然而空位类型不会发生变化;不同能量的损伤机理却不同,用非电离能量损失（NIEL）的理论进行解释。非电离能量损失（NIEL）随着入射质子能量的增加而变小,从而造成了更少的空位密度,这很好地解释了低能量的质子比高能量的质子引起的退化更严重。入射质子能量越大,其速度就越快,与靶材的相互作用截面越小,造成的损伤越小。2.器件模型是连接电路设计和器件工艺的桥梁,一个准确的器件模型不仅能够反应器件的真实工作情况,还能预测器件在非正常环境下,比如辐照,可能发生的故障。通过建立InP/InGaAs HBTs器件三维数值仿真模型,从理论上指导器件辐照实验,包括辐照剂量和能量等实验参数的确定。首先建立InP/InGaAs HBTs器件数值仿真模型,正确描述器件的速度过冲以及弹道输运效应;然后对质子辐照引起的位移效应进行模拟,研究不同辐照条件对InP/InGaAs HBTs器件的直流特性和交流特性等器件特性的影响,为辐照实验的开展提供理论支持。为了简化模型,只将简单的空位加入Sentaurus陷阱模型中。3.开展了 InP/InGaAs异质PN结和HBTs器件的质子辐照效应实验研究。采用不同能量和剂量的质子辐照,对辐照前后PN结I-V和C-V特性以及HBTs器件的直流、交流特性进行详细地测试和分析。测试结果显示:在相同的质子辐照能量条件下,异质PN结界面处的界面态密度以及HBTs器件的电流增益和截止频率的衰退随着质子辐照剂量的增加而变大;相同的质子辐照剂量条件下,低能量的质子辐照会造成更大的界面态密度以及更为严重的器件电流增益和截止频率的衰减。4.结合Sentaurus器件仿真软件和计算模型,讨论了 InP/InGaAsDHBTs器件的质子辐照退化机制。仿真结果和实验结果吻合的很好,器件参数随质子注量的退化趋势与实验结果相一致。在相同的质子能量条件下,随着质子剂量的增加,器件增益与截止频率退化逐渐增加;在相同的质子剂量条件下,3MeV能量的质子比10MeV的质子造成更大的损伤,因为它在器件有源区淀积的能量更多。增益退化表现为集电极电流变化不大,基极电流增大较明显,其原因是质子辐照引入的复合中心导致BE结空间电荷区及表面复合电流增加;特征频率下降是由于由于质子辐照引起电容、集电极电阻增大以及载流子的迁移率下降。归根结底,器件特性退化还是因为质子辐照在半导体器件内部产生了位移损伤。
陆文彪[3]（2008）在《介观体系中的电子自旋输运及隧穿磁阻效应》文中研究表明自旋相关的量子输运是自旋电子学中的重要研究内容。本文首先简单介绍了自旋电子学的兴起和发展,回顾了自旋电子在介观尺寸下的一些典型的输运特性,对隧穿磁电阻效应、Rashba和Dresselhaus自旋轨道耦合相互作用以及量子隧穿时间的一些定义等进行了简要描述。我们选取了具有重要应用价值和基础理论研究意义的半导体异质结结构（铁磁/半导体/铁磁异质结）以及介观AC环作为研究对象,采用一维波导理论的方法对其中的电子自旋极化输运现象和量子隧穿时间进行了较为细致的研究。（1）考虑界面势垒以及Rashba和Dresselhaus两种自旋轨道耦合同时存在时,研究了自旋极化电子通过铁磁体/半导体/铁磁体（F/S/F）异质结引起的自旋翻转和隧穿磁电阻效应。结果显示在一定的铁磁/半导体界面势垒高度时可以实现隧穿电子的自旋翻转,而且电子的透射几率随自旋轨道耦合强度的变化成现出单一的共振窄峰,Rashba项不仅可以导致更大的磁电阻而且可以使得通过改变两端铁磁体磁化方向的夹角实现磁电阻的正负转变,并使得磁电阻的绝对值关于θ=π不再对称。（2）比较研究了铁磁体/半导体/铁磁体异质结中存在和不存在自旋翻转时,自旋极化电子的隧穿时间。当异质结中内没有自旋翻转效应时,随着半导体长度的增加,自旋电子的隧穿时间并不是线性的增加,而是呈现了波状的增长过程。而当考虑自旋翻转效应时,自旋电子的隧穿时间随着半导体长度的变化会出现剧烈的振荡现象,而且会在某些区域出现下降趋势。（3）我们还研究了自旋极化电子通过两端连接铁磁电极的介观AC环的情况,发现可以通过调节电场的大小和方向来控制不同自旋电子的透射几率。在大的电场倾角情况下,隧穿磁电阻TMR随电场大小α的增大逐渐由正值变化为负值。而如果固定电场大小,隧穿磁电阻随着电场倾角x的变化可以出现正负值的交替变换且关于x=π是对称分布的。
汪磊[4]（2008）在《等离子体薄膜表面制造中的偏压效应研究》文中研究指明在等离子体工艺过程中,离子轰击效应是促进等离子体与材料相互作用的关键机制,是决定材料性能和结构的重要因素。偏压辅助等离子体技术将等离子体化学活性与离子轰击效应相结合,形成了其他方法不可替代、有鲜明特色的技术优势,在工业和高科技领域得到了广泛应用。偏压的应用同时对体等离子体状态产生影响,形成一个多参数相互耦合的复杂等离子体系统,其中还存在着未知的或尚未充分理解的物理现象和过程。本论文从实验和数值模拟两方面,重点研究多种配置偏压辅助等离子体技术中偏压效应的物理机制,并探索其在新型功能薄膜特征表面制造中应用的新工艺和相关的等离子体气相机理。针对多种单原子和双原子分子气体,研究了基底直流、射频偏压与电子回旋共振（ECR）体等离子体之间的耦合效应及放电特性。研究表明,基底直流偏压使氢等离子体密度大大提高,对中性原子密度则基本无影响。基底射频偏压与体等离子体之间呈现出复杂的耦合效应。在基底射频偏压与体等离子体相互作用中,偏压频率起着重要作用。高频偏压（13.56MHz）可产生独立的射频放电,与ECR等离子体耦合成ECR/RF双频放电等离子体,对体等离子体中电子有明显的加热作用,使电子能量分布函数发生展宽,并提高体等离子体密度和中性原子密度;而低频偏压（400kHz）与体等离子体之间基本无耦合。探讨了ECR/RF双模式放电的物理机制,并用粒子-流体混合模型对射频偏压辅助ECR等离子体进行了数值模拟,结论与实验结果相符。基底高频偏压的应用使氢等离子体密度和电子温度有较大增幅,电子能量分布函数迅速展宽成双峰结构,氢等离子体与偏压的耦合效应明显强于氩等离子体。在氧等离子体中掺入氪气,会降低体等离子体中的氧原子浓度和电子温度。在氩和氪等单原子气体ECR微波放电中观察到了高、低密度放电模式转换,在氢和氧等双原子分子气体放电中则无此现象。产生这些差异的原因可归结为不同的放电气体特性和放电反应。此外,研究了偏压技术中基底构型对ECR/RF双频放电等离子体的影响。比起双平板型基底,使用单平板型基底时只存在一条射频电流通路,可大大提高体等离子体电子温度,增加射频偏压与体等离子体之间的耦合度。将偏压辅助ECR等离子体用于功能薄膜特征表面制造中,研究了偏压效应对等离子体与材料相互作用的影响。在直流偏压辅助下,氢等离子体使化学气相沉积（CVD）微米晶金刚石膜表面产生纳米锥结构,纳米锥尺寸和形状随基底偏压、微波功率、气压等放电参数变化。在射频偏压辅助下,氧等离子体成功地对金刚石膜进行了刻蚀,刻蚀速率最高可达8μm/h,偏压频率和直流自偏压大小均会影响刻蚀速率和刻蚀表面形貌。在刻蚀中掺入氪使刻蚀变慢,但刻蚀表面较为平坦。相关的探针和发射光谱诊断表明,金刚石刻蚀是各向异性的物理刻蚀与各向同性的化学刻蚀相互作用和竞争的结果,氧原子/氧离子对表面产生化学刻蚀,偏压增强的离子轰击效应促进表面的物理和化学相互作用。基底直流自偏压的提高能增强离子轰击效应和增加氧原子/氧离子密度,因而是决定刻蚀速率的一个关键因素。高频偏压辅助等离子体刻蚀速率比低频偏压快,是由体等离子体中氧原子密度以及入射基底的离子能量分布所决定的。氪的掺入使氧原子密度和等离子体电子温度降低,增加刻蚀过程中各向异性物理刻蚀的比例,导致刻蚀减慢,但抑制了纳米锥的形成,因而可获得更加平坦的刻蚀表面。在热丝化学气相沉积（HFCVD）装置上,利用直流自偏压型等离子体制造出多种金刚石特征表面。负偏压辅助直流等离子体的离子轰击效应使金刚石膜表面结构演变的同时还发生金刚石的相变,更高的基底温度导致长达50μm的大尺寸方柱体表面形成。在正偏压辅助直流等离子体的金刚石同质外延生长中得到了平滑、织构等多种特征金刚石生长面,其中,对应于各取向基底晶面的不同生长模式发挥着关键作用,等离子体化学气相环境也对特征表面的形成有着显着影响。
曲晓英[5]（2007）在《复数势的隧穿时间》文中认为隧穿在量子力学中是一个古老的话题，隧穿几率和隧穿时间是研究较多的两个方面。近年来，随着半导体制造技术的发展，如：单电子晶体管、共振二极管、量子激光器、共振光探测器的出现，粒子穿过单个或多个量子势阱（或势垒）的隧穿时间问题，又引起人们极大的研究兴趣。在量子力学中，由于测不准关系的存在，速度和动量不能同时确定，时间已不再是一个可观测的量，因此研究粒子在势阱或势垒中的隧穿时间对半导体器件的制造很有理论指导作用。在实际的隧穿现象中，粒子的几率往往是不守恒的，为此我们引进复数势阱（关于复数势在原子核物理和散射理论中经常见到）来研究粒子的隧穿时间问题，本论文采用相时的计算方法研究了粒子穿过几种典型势阱（单个δ复数势阱，双δ复数势阱和矩形复数势阱）的隧穿时间问题，并采用Matlab和Origin数学软件进行可视化数值分析。粒子穿过单个δ复数势阱时，相时Tτ与入射粒子的能量E成反比，复数势的实部Re对隧穿时间的影响较虚部Im大；穿过双δ复数势阱时，Tτ随E变化出现类似阻尼振荡的现象，随着势阱间的距离α的增加，Tτ整体增大，复数势的实部对相时Tτ的影响比虚部明显，且随虚部的增大，Tτ有整体极小值出现；穿过矩形复数势阱时，Tτ随E的增大，有极大值出现，随势阱宽度α的增大，Tτ整体增大，在入射粒子以低能量入射时，Im是主要影响因素，在高能量入射时，Re是主要影响因素。
陈玺[6]（2007）在《微结构中波的动力学及共振现象的研究》文中提出随着科学技术的不断进步和信息社会的发展，集成光学，大规模集成电子线路和量子电子器件等信息技术已逐步接近和达到微纳尺度，对此领域的研究是21世纪高新技术发展所急需的先导和支撑．本论文围绕着微结构中波的动力学及共振现象这一主题开展研究．作者取得的主要研究成果是：（1）研究了光学微结构中有限光束的反常侧向位移及其机制．首先，研究了有限光束穿过薄介质板时透射光束存在侧向位移、角偏转、束腰宽度的修正以及焦点的纵向移动四种非几何光学效应，给出了该侧向位移反向时入射角及介质板的厚度所需满足的必要条件，报道了利用微波技术首次在实验上观测到穿过薄介质板时波束的反向位移．其次，研究发现了有限光束穿过左手介质板时共振增强的侧向位移，可以为负，也可以为正．这个结果说明，薄介质板结构中的负侧向位移与负折射率材料无关，是介质板边界效应相互作用的结果．最后，我们利用多个有限光束之间的干涉效应揭示了薄介质板结构中反常侧向位移的物理机制。（2）研究了二维量子微结构中电子束的空间位移及其调制。研究发现电子束穿过半导体量子势垒的空间位移与电子波的Snell定律预言的结果不同，并且当电子束的入射角小于且接近临界角时透射电子束的空间位移具有共振增强效应。其次，发现在半导体量子势阱结构中透射或反射电子束的空间位移可以为正也可以为负，并且给出了电子束位移为负的必要条件。更重要的是，首次发现了在磁电势垒结构中电子束的正、负位移可以通过外加电场或磁场进行调制．这些新奇现象将为新型量子电子器件提供新的思路。（3）研究了量子结构中粒子的反常群时延及其物理机制。人们已经在理论和实验上证明了量子势阱中粒子的负群时延。在此基础上，系统地研究了单个非对称量子势垒中反射和透射时延。研究发现，在消逝场和行波场的情况下，反射和透射时延与势垒高度以及势垒外两边势能的相对高度有关，且可正或可负。在消逝场的情况下，即当粒子的入射能量比势垒高度低时，在非透明势垒极限下反射和透射时延与势垒厚度无关，表现出超光速性。在行波场的情况下，即当粒子的入射能量大于势垒高度时，反射与透射时延是势垒厚度的周期函数，具有共振增强效应。最后，从多个波包干涉的角度解释了量子势阱结构中粒子的负群时延，并且进一步揭示了量子势垒结构中Hartman效应的本质。（4）研究了相对论性粒子在量子结构中的渡越时间。首先，主要讨论了相对论性粒子穿越量子势阱群时延的性质。研究表明，相对论性粒子穿越势阱的时延与非相对论的情况类似具有超光速性，甚至可以为负，并且提出了群时延为负的必要条件。进一步分析发现负群时延与其在共振点处反常依赖于势阱宽度有关。数值比较说明了在相对论量子理论中群时延大于在非相对论量子理论中相应的群时延。此外，进一步推广了在非相对论量子理论中一种不具有超光速的渡越时间——能量转移时间，分别讨论了消逝场和行波场两种情况下相对论性粒子穿过势垒时该渡越时问的亚光速性。研究表明，在消逝场情况下，能量转移时间的特性与非相对论的情况类似，不具有超光速性。同样，在行波场情况下，能量转移时间也不存在超光速的问题。
黎元柳[7]（2005）在《J/ψ→γπ～+π～-π～+π～-的分波振幅分析》文中指出QCD理论的非阿贝尔规范性预言了两个或多胶子可以形成纯胶子的束缚态——胶球（glueball）。胶球的发现将是验证QCD理论正确性的直接证据,因此胶球的寻找一直是许多物理学家关注的热点之一。虽然理论上和实验上都已经做了大量的研究工作,并找到了一些胶球候选者,但到目前为止,它们尚未得到真正地确认。 本文采用北京谱仪（BES Ⅱ）在北京正负电子对撞机（BEPC）上收集的5,800万J/ψ数据,利用协变张量振幅分析方法,在+π-π+π-不变质量小于2.4GeV的范围内,分别用分区间拟合和整体拟合的方法对J/ψ→γπ+π-π+π-衰变道中间态的自旋宇称做了详细的研究。在分析中间衰变过程方面,与MARK Ⅲ和DM2合作组比较,本论文除了考虑J/ψ→ρρ中间衰变模式,还考虑到了其它两种中间衰变模式:J/ψ→ρρ和J/ψ→ρρ,f2（1270）σ。 在对不变质量在2.4GeV以下的π+π-π+π-质量谱进行整体拟合研究中,我们看到了不变质量谱在低质量端主要由O-+成分构成,同时还存在O++和少部分的2++成分。O-+成分主要是来自于ρρ的贡献;O++成分主要来自于σσ的贡献;2++在低质量端主要是ρρ衰变模式,在高质量端则以f2（1270）σ衰变模式为主,还有少部分的ρρ、σσ衰变模式。 为了保证分析结果的正确性,本论文还使用不带中间态的分区间拟合方法对π+π-π+π-不变质量谱进行拟合,发现用分区间拟合得到的结果与整体拟合得到的结果是相符的。此外,我们还做了最佳解的信号显着性与共振态JP改变的检查,检查结果表明分波振幅分析可以区分各种自旋宇称态,因
陈玺,李春芳[8]（2002）在《相对论性粒子穿越势垒的渡越时间》文中认为
陈玺,李春芳[9]（2002）在《相对论性粒子穿越势垒的渡越时间》文中提出
冯振勇[10]（2001）在《用羊八井二期/加密阵列数据寻找3～10TeV能区的宇宙伽玛暴》文中认为宇宙γ射线暴发现象（Garoma-Ray Bursts，简称γ暴或GRB）是上个世纪的一个重要天文发现，同时也是保留至今的最大天文之谜。γ暴问题与宇宙暗物质、恒星级（巨型）黑洞天体的观测认证以及活动星系核的物理解释一起，合称为“伴随人类进入二十一世纪的四大天文难题”。 γ暴是一种强烈的瞬态（transient）暴发过程，最早是由前苏联的核爆炸监测卫星维拉（Vela）在1967年偶然发现的．自γ暴现象被发现至今的三十多年时间里，人们对该现象进行了大量的实验观测，证实了它的真实存在并取得了较丰富的观测资料，与此同时，围绕γ暴的起源、初始能源和辐射过程等问题，人们建立了数百个理论模型，试图对之进行解释，但这些模型都只能部分地解释γ暴的某些特征，同时这些模型之间还存在较多分歧。从费米(1fm=10-15m)尺度的宇宙原生黑洞，到数十公里尺度的中子星，都被作为γ暴的候选天体进行了考察。在美国天文卫星CGRO上的BASTE实验之前，γ暴现象集中联系于银河内磁中子星上的局部物理过程；BASTE实验把γ暴推向了宇宙学距离，这使γ暴与宇宙暗物质，原生黑洞，引力波以及强相互作用等现代物理问题联系了起来。目前关于γ暴的理论模型可以说是“众说纷纭，各执一词”，其数目之多甚至有让人“目不暇接，无所适从”的感觉。因此，目前的观测数据还不足以对γ暴现象作出圆满的解释。 观测表明，γ暴的发生时间和空间位置是完全随机的，至今未发现γ暴有重复暴发现象，这使人们很难对之进行有预先准备的观测；γ暴的持续时间往往很短，这造成难于对之进行细致的观测。γ暴的上述特征是造成其观测困难的主要原因，同时也是难以对之作出全面而圆满的理论解释的原因。 γ暴的起源问题，也即γ暴的发生距离问题，在γ暴的研究中起着至关重要的作用。目前γ暴的起源之争，集中于该现象是发生在银河系内的过程，还是普遍发生在宇宙学距离上的过程。因为按观测数据推算，暴的不同起源对应着不同的爆发能量，其量值甚至可相差二十几个数量级。不同量级的释放能量自然对应不同的物理过程。所以，没有γ暴源的距离的知识，就不能准确地判断暴的产生机制，也就不能对该现象作出正确的解释。虽然目前关于γ暴的卫星实验已观测到了数千个γ暴，并对γ暴的时间结构、能谱形状以及空间分布等方面作了集中研究，但卫星实验由于受其探测器接收面积的限制，对γ暴到达方向的定位精度较低，故不能很好的确定γ暴的对应天体。因此目前只能通过间接的方法来判断这些暴的起源。早期的观测资料和BASTE实验都表明γ暴的空间分布呈高度各向同性，其频率一大小谱（logN（〉S）—logS）表明随距离增加弱暴数目有增多的趋势，这显示了γ暴的宇宙学起源。γ暴在其它波段的【g一 伴随物…ounerprt)可以提供其距离的有关信息，但目前关于Y暴伴随物的观 测信息还相当缺乏，还不能给确定其距离提供太多帮助．意大利一荷兰天文卫 星BePPOSAX在1997年观测到数个丁暴的光学、射电、X射线等多波段“余辉 恒fterglow厂，但这也仅给丫暴起源的研究带来一丝“曙光＼＿， 是否存在超高能p1TeV＊暴，或丫暴的超高能伴随物，是一个有意义的 问题．因为1－100DV的初级宇宙丁光子在穿过宇宙学距离时，将遭到宇宙 红外背景光子和微波背景光子的强烈吸收而不能达到地球大气顶部．固此，如 果找到了1一100TeV能区的丁暴，或观测到了)暴的1－10（）Te伴随丫光 子，就可判定丫暴为银河系内起源；否则，若没有观测到上述过程，也可给出 7暴发生距离的上限情息．同样由于受其探测器接受面积的限制，卫星实验一 般工作于GeV能区，它对超高能7暴的观测是无能为力的．目前卫星实验所 观测到的丫暴的光子能量主要集中于10KeV—10MeV，只有少量丫暴的光子 能量达GeV量级．天文观测的地面实验和空间实验历来有着互相衔接、互相补 充、互相验证的关系，二者的作用不可互相替代，因此，用地面设施寻找超高 能区的Y暴，自然有十分重要的意义． 西藏羊八井二期／加密阵列目前在世界同类装置中，具有最高的簇射触发 率和最低的观测阈能，其角分辨率好于1＼ 因此很适合于进行超高能，暴的4 观测寻找．本文第七章使用羊八井二期／加密阵列1997年2月至1998年6月 期间的重建数据，进行了3－10Dv能区丁暴的全天区独立寻找，同时也进行 了3DV能区＊＊8＊即暴的符合寻找．在丁暴的独立寻找工作中采用分＊n方 法，取时间间隔凸t—IS、105、1005三种情况，对 EAS事例进行了统计分 析．在上述分析中，使用的羊八井二期阵列Kibet 11)和加密阵列叮ibet HD)所 得到的＊＊s事例分别约为2石Xlo帅5亿)个和4．SXlo…8亿)个．统计结果 表明，有较多事例团显示了对背景的超出，其中有部分事例团的统计显着性明 显超过了3。 同时，有少数事例团的统计显着性达到了4a水平，显示了存在 3－10
二、相对论性粒子穿越势垒的渡越时间（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、相对论性粒子穿越势垒的渡越时间（论文提纲范文）
（1）基于裂变法的中子探测器研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 引言 |
| 1.1 中子探测技术的发展 |
| 1.2 本文选题的主要目的和意义 |
| 第2章 中子和物质的相互作用及中子探测器介绍 |
| 2.1 中子与物质的相互作用及散裂反应简介 |
| 2.1.1 弹性散射 |
| 2.1.2 非弹性散射 |
| 2.1.3 俘获效应 |
| 2.1.4 转移反应 |
| 2.1.5 散裂反应简介 |
| 2.1.6 裂变反应 |
| 2.1.7 几种裂变模型简介 |
| 2.2 中子探测方法和常用气体中子探测器简介 |
| 2.2.1 核反冲法 |
| 2.2.2 核反应法 |
| 2.2.3 核裂变法 |
| 2.2.4 核活化法 |
| 2.2.5 常用气体中子探测器简介 |
| 2.3 本文研究内容及主要工作计划 |
| 2.3.1 裂变PPAC设计加工及物理建模 |
| 2.3.2 裂变电离室设计加工及物理建模 |
| 2.3.3 小结 |
| 2.4 国际上对238U的中子裂变截面的研究简介 |
| 第3章 气体探测器的工作原理 |
| 3.1 带电粒子与物质的相互作用 |
| 3.2 γ光子与物质相互作用 |
| 3.2.1 光电效应 |
| 3.2.2 康普顿散射 |
| 3.2.3 电子对效应 |
| 3.3 电子-离子对产生过程 |
| 3.4 电子-离子对在电场中的漂移过程 |
| 3.4.1 正离子的漂移过程 |
| 3.4.2 电子的漂移过程 |
| 3.5 不同气体探测器的工作电压区间 |
| 3.6 常用的基于裂变法的中子探测器工作原理简介 |
| 3.6.1 裂变PPAC的工作原理 |
| 3.6.2 裂变电离室的工作原理 |
| 第4章 蒙特卡洛模拟软件及方法介绍 |
| 4.1 Geant4 软件结构及对蒙特卡洛方法的应用原理 |
| 4.1.1 Geant4 软件结构 |
| 4.1.2 Geant4 对蒙特卡罗方法的应用原理 |
| 4.2 裂变PPAC模型物理过程建立的理论基础 |
| 第5章 裂变PPAC设计、加工、模拟及测试 |
| 5.1 裂变PPAC的设计及物理建模概述 |
| 5.1.1 快中子和不同靶材料的反应截面模拟 |
| 5.1.2 裂变PPAC镀靶厚度模拟 |
| 5.1.3 裂变碎片的元素种类分布 |
| 5.2 裂变靶加工 |
| 5.3 裂变PPAC及测试用的真空盒加工 |
| 5.4 裂变PPAC工作气体选择 |
| 5.5 不同工作气体的重带电粒子输出信号模拟 |
| 5.6 Maxwell模拟PPAC内部电场 |
| 5.7 磁场对裂变PPAC工作状态的影响模拟 |
| 5.8 裂变PPAC测试 |
| 5.8.1 ~(241)Am源测裂变PPAC的计数率 |
| 5.8.2 ~(252)Cf源测裂变PPAC的时间分辨率 |
| 第6章 用于入射中子注量测量的裂变电离室研发 |
| 6.1 裂变电离室在国际上的应用情况简介 |
| 6.2 ~(238)U裂变电离室设计 |
| 6.3 裂变电离室测试 |
| 6.4 裂变电离室模拟 |
| 第7章 总结和展望 |
| 7.1 总结 |
| 7.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 |
（2）InP/InGaAs HBTs电学特性及质子辐照研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 符号对照表 |
| 缩略语对照表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 选题背景及研究意义 |
| 1.2 国内外研究现状及存在问题 |
| 1.2.1 InP/InGaAs HBTs器件的研究现状 |
| 1.2.2 HBTs器件的辐照效应研究现状 |
| 1.3 本文结构 |
| 第二章 辐照基本概念 |
| 2.1 空间辐照环境 |
| 2.2 基本损伤机理 |
| 2.2.1 电离损伤 |
| 2.2.2 位移损伤 |
| 2.2.3 非电离能量损失(NIEL)概念 |
| 2.3 Ⅲ-Ⅴ族化合物的辐射效应 |
| 2.4 同质结器件的辐射效应 |
| 2.5 异质结器件的辐射效应 |
| 2.6 本章小结 |
| 第三章 InP/InGaAs HBTs器件及其参数 |
| 3.1 HBT的基础 |
| 3.1.1 HBT结构、性能 |
| 3.1.2 HBT器件工作模式 |
| 3.2 InP HBTs器件的电学特性测试 |
| 3.2.1 直流特性测试 |
| 3.2.2 频率特性测试 |
| 3.3 InP HBTs晶体管的关键参数 |
| 3.3.1 InP HBTs的直流参数 |
| 3.3.2 InP HBTs的击穿特性 |
| 3.3.3 InP HBTs的交流参数 |
| 3.4 InP HBTs器件的尺寸效应 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 InP/InGaAs器件质子辐照效应仿真 |
| 4.1 InP/InGaAs异质PN结及HBTs器件结构参数 |
| 4.2 质子辐照效应SRIM仿真 |
| 4.2.1 InP、InGaAs材料质子辐照SRIM仿真 |
| 4.2.2 InP/InGaAs异质PN结质子辐照SRIM仿真 |
| 4.3 InP/InGaAs HBTs器件Sentaurus建模 |
| 4.4 InP/InGaAs HBTs器件质子辐照Sentaurus仿真 |
| 4.4.1 不同剂量质子辐照Sentaurus仿真 |
| 4.4.2 不同能量质子辐照Sentaurus仿真 |
| 4.5 不同发射极尺寸器件特性 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 InP/InGaAsHBTs器件质子辐照研究 |
| 5.1 InP/InGaAs异质PN结及HBTs器件的质子辐照实验 |
| 5.2 InP/InGaAs异质PN结结构质子辐照 |
| 5.3 InP/InGaAs HBTs器件质子辐照 |
| 5.3.1 InP/InGaAs HBTs器件不同剂量质子辐照 |
| 5.3.2 InP/InGaAs HBTs器件不同能量质子辐照 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 未来工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 作者简介 |
（3）介观体系中的电子自旋输运及隧穿磁阻效应（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 自旋电子学的兴起 |
| 1.2 隧穿磁电阻(TMR) |
| 1.3 自旋轨道耦合相互作用(Spin-Orbit Interaction) |
| 1.3.1 Rashba自旋轨道耦合 |
| 1.3.2 Dresselhaus自旋轨道耦合 |
| 1.4 量子隧穿时间 |
| 1.4.1 相位时间(phase time) |
| 1.4.2 居留时间 |
| 1.5 本文的研究工作 |
| 第二章 半导体异质结中电子的自旋翻转及磁电阻效应 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 模型和理论公式 |
| 2.3 计算结果与分析 |
| 2.4 结论 |
| 第三章 电子通过 F/S/F异质结的量子隧穿时间 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 半导体中没有自旋翻转效应的情况 |
| 3.2.1 模型和理论公式 |
| 3.2.2 计算结果与分析 |
| 3.3 半导体中存在自旋翻转效应的情况 |
| 3.3.1 模型和理论公式 |
| 3.3.2 计算结果与分析 |
| 3.4 结论 |
| 第四章 电子通过介观 AC环的自旋极化输运及隧穿磁阻效应 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 模型计算 |
| 4.3 数值分析 |
| 4.4 结论 |
| 第五章 总结 |
| 参考文献 |
| 研究生在读期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
| 个人简介 |
（4）等离子体薄膜表面制造中的偏压效应研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 偏压辅助等离子体技术 |
| 1.1.1 等离子体工艺过程中的偏压技术 |
| 1.1.2 偏压辅助等离子体技术应用 |
| 1.1.3 偏压辅助等离子体技术在功能薄膜特征表面制造中的应用 |
| 1.1.4 偏压辅助等离子体基本过程 |
| 1.2 偏压辅助ECR微波等离子体技术 |
| 1.2.1 偏压辅助ECR微波等离子体的特点 |
| 1.2.2 偏压辅助ECR微波等离子体技术研究现状 |
| 1.3 本论文的主要工作 |
| 第2章 实验装置及方法 |
| 2.1 实验装置介绍 |
| 2.1.1 电子回旋共振(ECR)微波等离子体装置 |
| 2.1.2 热丝化学气相沉积(HFCVD)装置 |
| 2.2 等离子体诊断方法 |
| 2.2.1 静电探针 |
| 2.2.2 发射光谱 |
| 2.3 常用结构分析方法 |
| 2.3.1 拉曼光谱 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜 |
| 第3章 ECR等离子体与直流偏压相互作用及表面制造 |
| 3.1 ECR微波等离子体源特征参数 |
| 3.1.1 氩等离子体特性诊断 |
| 3.1.2 几种气体放电的比较 |
| 3.2 ECR/DC等离子体特性及效应 |
| 3.2.1 实验 |
| 3.2.2 基底直流偏压的影响 |
| 3.2.3 微波功率的影响 |
| 3.2.4 气压的影响 |
| 3.3 本章小结 |
| 第4章 ECR/RF等离子体特性及效应 |
| 4.1 ECR/RF等离子体特性 |
| 4.1.1 实验 |
| 4.1.2 放电模式 |
| 4.1.3 两种基底构型的比较 |
| 4.1.4 放电气体的比较 |
| 4.1.5 射频频率的比较 |
| 4.2 ECR/RF等离子体金刚石刻蚀研究 |
| 4.2.1 发射光谱诊断 |
| 4.2.2 实验 |
| 4.2.3 基底直流自偏压的影响 |
| 4.2.4 射频偏压频率的影响 |
| 4.2.5 氧/氪混合ECR/RF等离子体 |
| 4.3 本章小结 |
| 第5章 ECR微波等离子体数值模拟 |
| 5.1 ECR微波等离子体物理分析 |
| 5.2 数学模型 |
| 5.2.1 离子的粒子模型 |
| 5.2.2 电子的流体模型 |
| 5.2.3 边界条件 |
| 5.3 数值模拟结果 |
| 5.3.1 ECR微波等离子体源的数值模拟 |
| 5.3.2 射频偏压辅助ECR微波等离子体的数值模拟 |
| 5.4 本章小结 |
| 第6章 偏压型热丝直流等离子体金刚石特征表面制造 |
| 6.1 负偏压辅助热丝直流等离子体 |
| 6.1.1 金刚石/钼复合衬底的应用 |
| 6.1.2 实验 |
| 6.1.3 离子轰击时间的影响 |
| 6.1.4 基底温度的影响 |
| 6.2 正偏压辅助热丝直流等离子体 |
| 6.2.1 实验 |
| 6.2.2 基底效应的影响 |
| 6.2.3 等离子体气相环境的影响 |
| 6.2.4 金刚石外延生长面的光致发光研究 |
| 6.3 本章小结 |
| 第7章 总结与展望 |
| 7.1 本论文的主要工作 |
| 7.2 进一步的研究方向 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 |
（5）复数势的隧穿时间（论文提纲范文）
| 目录 |
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 引言 |
| 第二章 隧穿时间的研究方法 |
| 2.1 相时 |
| 2.1.1 相时定义及计算方法 |
| 2.1.2 相时的研究概况 |
| 2.2 其他研究隧穿时间的方法 |
| 2.2.1 驻留时间(The dwell time) |
| 2.2.2 拉莫时间(the Larmor time) |
| 2.2.3 复时间(The″complex time approach″) |
| 2.2.4 "Buttiker-Landauer"时间(theButtiker-Landauertime) |
| 2.3 超光速的解释 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 复数势的研究发展现状 |
| 3.1 复数势模型 |
| 3.2 复数势的研究发展概况 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 δ复数势的相时分析 |
| 4.1 单个δ复数势的隧穿时间及分析 |
| 4.1.1 单个δ复数势的相时的计算 |
| 4.1.2 单个δ复数势的相时的计算结果的分析讨论 |
| 4.1.3 小结 |
| 4.2 双δ复数势的相时及分析 |
| 4.2.1 双δ复数势的相时的计算 |
| 4.2.2 双δ复数势的相时的计算结果的分析讨论 |
| 4.2.3 小结 |
| 第五章 矩形复数势的相时 |
| (?)~2r_r/ma)'>5.1 入射能量大于势阱的能量(E>(?)~2r_r/ma) |
| 5.3 本章小结 |
| 第六章 结论 |
| 参考文献 |
| 作者在攻读学位期间的工作 |
| 致谢 |
（6）微结构中波的动力学及共振现象的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| §1.1 研究背景以及国内、外研究现状 |
| §1.2 本论文研究的主要问题与取得的研究成果 |
| §1.3 论文的结构安排 |
| 第二章 光学微结构中反常侧向位移及其物理机制 |
| §2.1 引言 |
| §2.2 薄介质板结构中反常侧向位移及微波实验 |
| §2.2.1 反向侧向位移及共振增强效应 |
| §2.2.2 高斯光束的二阶傍轴近似及其非几何光学效应 |
| §2.2.3 微波实验 |
| §2.3 有限光束穿过左手介质板的反常侧向位移 |
| §2.3.1 左手材料单界面上的负Goos-H(a|¨)nchen位移 |
| §2.3.2 左手介质板结构中共振增强的反常侧向位移 |
| §2.4 薄介质板结构中反常位移的机制:多个有限光束的干涉 |
| §2.5 小结 |
| 第三章 量子微结构中电子束的空间位移及其调制 |
| §3.1 引言 |
| §3.2 量子势垒结构中电子束的空间位移以及共振增强效应 |
| §3.2.1 单界面上电子束的Goos-H(a|¨)nchen位移 |
| §3.2.2 量子势垒结构中共振增强的空间位移 |
| §3.3 量子势阱结构中电子束的反常位移 |
| §3.4 磁电垒结构中电子束的空间位移及其调制 |
| §3.5 小结 |
| 第四章 量子结构中共振增强的反常群时延及其物理机制 |
| §4.1 引言 |
| §4.2 单个非对称量子势垒结构中粒子的反射和透射时延 |
| §4.2.1 在消逝场情况下透射和反射时延 |
| §4.2.2 透射和反射时延的超光速性 |
| §4.2.3 在行波场情况下时延的共振增强 |
| §4.3 反常时延产生的物理机制 |
| §4.3.1 量子势阱结构中负时延的物理机制 |
| §4.3.2 Hartman效应的本质 |
| §4.4 小结 |
| 第五章 量子结构中相对论性粒子的渡越时间 |
| §5.1 引言 |
| §5.2 相对论性粒子穿越量子势阱的负群时延 |
| §5.2.1 相对论群时延及其非相对论极限 |
| §5.2.2 相对论群时延与非相对论群时延的比较 |
| §5.3 相对论性粒子穿过量子势垒的渡越时间 |
| §5.3.1 消逝场情况 |
| §5.3.2 行波场情况 |
| §5.4 小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| §6.1 论文工作的总结 |
| §6.2 存在的问题和对未来的展望 |
| 参考文献 |
| 作者在攻读博士学位期间公开发表与待发表的论文 |
| 作者在攻读博士学位期间所参加的科研项目 |
| 致谢 |
（7）J/ψ→γπ～+π～-π～+π～-的分波振幅分析（论文提纲范文）
| 摘要 |
| 英文摘要 |
| 第一章 引言 |
| 1.1 粒子物理学 |
| 1.1.1 标准模型 |
| 1.1.2 强子态 |
| 1.1.3 胶球的性质及其寻找 |
| 1.1.4 胶球的质量 |
| 1.1.5 寻找胶球的实验 |
| 1.1.6 胶球的判定准则 |
| 1.2 粲偶素家族 |
| 1.3 J／ψ衰变 |
| 1.4 论文选题的目的和论文的结构 |
| 1.4.1 论文选题的目的 |
| 1.4.2 论文的结构 |
| 第二章 北京谱仪与粒子的鉴别 |
| 2.1 粒子加速器 |
| 2.2 北京正负电子对撞机(BEPC) |
| 2.3 北京谱仪(BES) |
| 2.3.1 束流管(Beam Pipe) |
| 2.3.2 顶点探测器(Vertex Chamber) |
| 2.3.3 主漂移室(Main Drift Chamber) |
| 2.3.4 飞行时间计数器(Time Of Flight) |
| 2.3.5 簇射计数器(Shower Counter) |
| 2.3.6 磁铁系统(Magnet System) |
| 2.3.7 μ子计数(Muon Counter) |
| 2.3.8 亮度监测器(LUminosity Monitor) |
| 2.3.9 气体系统(Gas System) |
| 2.4 BES数据获取和分析 |
| 2.4.1 BES的数据获取 |
| 2.4.2 离线数据分析处理系统 |
| 2.5 粒子鉴别 |
| 2.5.1 带电粒子的鉴别 |
| 2.5.2 光子的鉴别 |
| 2.5.3 运动学拟合 |
| 第三章 J／ψ→μπ~+π~+π~+π~+的事例挑选和本底分析 |
| 3.1 事例的末态和主要的本底道 |
| 3.2 J／ψ→μπ~+π~+π~+π~+的事例初选 |
| 3.2.1 带电径迹的选择条件 |
| 3.2.2 光子的选择条件 |
| 3.2.3 事例初选样本的获得 |
| 3.2.4 J／ψ→μπ~+π~+π~+π~+事例终选 |
| 3.2.5 本底分析 |
| 第四章 分波振幅分析方法 |
| 4.1 分波振幅分析方法简介 |
| 4.2 初始考虑和目标 |
| 4.3 分波振幅和截面 |
| 4.4 最大似然法 |
| 4.5 Monte Carlo积分 |
| 4.6 分波分析流程 |
| 第五章 J／ψ→μπ~+π~+π~+π~+的分波振幅分析 |
| 5.1 分波分析过程 |
| 5.1.1 本底扣除 |
| 5.1.2 拟合方法 |
| 5.1.3 不带中间态的分区间拟合 |
| 5.1.4 拟合方法 |
| 5.2 整体拟合 |
| 5.2.1 质量宽度扫描 |
| 5.2.2 参数显着性检验 |
| 5.3 整体拟合给出的分支比及系统误差 |
| 5.3.1 整体拟合给出的分支比 |
| 5.3.2 整体拟合给出分支比的系统误差 |
| 第六章 拟合结果分析与讨论 |
| 6.1 拟合结果检查 |
| 6.2 结果与讨论 |
| 附录A J／ψ→μπ~+π~+π~+π~+分波振幅公式 |
| A.1 J／ψ→γX→γ(yz)→γ(π~+π~+π~+π~+)衰变道公式符号说明 |
| A.2 J／ψ辐射衰变中振辐和衰变截面的一般公式 |
| A.3 J／ψ→μπ~+π~+π~+π~+的分波振幅U_(μν)~ⅰ |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 |
| 致谢 |
（10）用羊八井二期/加密阵列数据寻找3～10TeV能区的宇宙伽玛暴（论文提纲范文）
| 第1章 绪论 |
| §1.1 人类观天探微的历程 |
| §1.2 γ暴及其带来的思考 |
| 第2章 γ暴的观测及特征 |
| §2.1 γ暴的空间观测 |
| §2.2 γ暴的分类和命名 |
| §2.3 γ暴的时间特征 |
| §2.4 γ暴的能谱特征 |
| §2.5 γ暴的空间分布特征 |
| §2.6 γ暴对应天体的寻找及其余辉的发现 |
| §2.7 γ暴的地面观测 |
| 第3章 γ暴的理论模型 |
| §3.1 γ暴的起源模型 |
| §3.2 γ暴的初始能源模型 |
| §3.3 γ暴的辐射模型 |
| §3.4 γ暴的几个相关物理问题 |
| 第4章 宇宙线的观测与研究简介 |
| 第5章 宇宙线广延大气簇射现象及其观测 |
| §5.1 EAS的级联过程 |
| §5.2 EAS的主要形态特点 |
| §5.3 EAS的实验观测 |
| §5.4 EAS实验中初级强子／γ的分辨 |
| 第6章 羊八井ASγ实验 |
| §6.1 羊八井的EAS观测优势 |
| §6.2 羊八井ASγ实验 |
| §6.3 羊八井ASγ实验的塑料闪烁体探器 |
| §6.4 羊八井一期阵列观测系统 |
| §6.5 羊八井二期／加密阵列观测系统 |
| §6.6 羊八井ASγ实验的原始数据 |
| §6.7 羊八井ASγ实验数据的重建 |
| §6.8 羊八井ASγ实验的物理工作 |
| 第7章 用羊八井二期／加密阵列数据寻找3-10TeV能区γ暴 |
| §7.1 概述 |
| §7.2 分bin方法 |
| §7.3 组团（cluster）方法 |
| §7.4 3TeV能区γ暴的寻找 |
| §7.5 10TeV能区γ暴的寻找 |
| §7.6 寻找与BASTEγ暴相符的3TeVγ暴 |
| §7.7 寻找结果的讨论 |
| 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 |
四、相对论性粒子穿越势垒的渡越时间（论文参考文献）
- [1]基于裂变法的中子探测器研究[D]. 关远帆. 中国科学院大学(中国科学院近代物理研究所), 2019(09)
- [2]InP/InGaAs HBTs电学特性及质子辐照研究[D]. 刘敏. 西安电子科技大学, 2016(12)
- [3]介观体系中的电子自旋输运及隧穿磁阻效应[D]. 陆文彪. 山西大学, 2008(04)
- [4]等离子体薄膜表面制造中的偏压效应研究[D]. 汪磊. 中国科学技术大学, 2008(06)
- [5]复数势的隧穿时间[D]. 曲晓英. 贵州大学, 2007(05)
- [6]微结构中波的动力学及共振现象的研究[D]. 陈玺. 上海大学, 2007(04)
- [7]J/ψ→γπ～+π～-π～+π～-的分波振幅分析[D]. 黎元柳. 广西大学, 2005(07)
- [8]相对论性粒子穿越势垒的渡越时间[J]. 陈玺,李春芳. 量子光学学报, 2002(S1)
- [9]相对论性粒子穿越势垒的渡越时间[A]. 陈玺,李春芳. 第十届全国量子光学学术报告会论文论文集, 2002
- [10]用羊八井二期/加密阵列数据寻找3～10TeV能区的宇宙伽玛暴[D]. 冯振勇. 西南交通大学, 2001(01)