一、Photoluminescence of Long Lasting Phosphors Ca_2MgSi_2O_7∶Eu~(2+),Dy~(3+)（论文文献综述）
王岳,武世然,雷伟岩,王崇,沈毅[1]（2021）在《Ca2MgSi2O7基白光余辉材料的研究及应用》文中提出介绍了Ca2MgSi2O7基白光余辉材料制备方法的优化,离子改性,发光原理和应用领域,同时对该材料的发展做出展望。Ca2MgSi2O7是一种优良的白光余辉基质材料,其可以通过优化制备方法和离子改性降低合成温度,生产成本并提升发光性能,有良好的发展和应用前景。目前Ca2MgSi2O7基白光余辉材料主要应用在WLED灯,传感器等领域,并未大规模应用。对其制备方法的优化,性能的提升和发光原理的深入研究有利于推动Ca2MgSi2O7基白光余辉材料的大规模应用。
马占峰,刘硕,裴浪,钟家松[2]（2021）在《Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+长余辉材料的余辉机理及应用进展》文中研究指明长余辉材料作为一种特殊的光致发光节能材料,在显示、生物医学、能源及环境工程等领域有着广泛的应用。以Sr2MgSi2O7为代表的硅酸盐材料具有耐水性强、化学稳定性好、余辉时间长等优点,是一类极具潜力的长余辉材料。但余辉发光强度不足、发射带窄以及余辉机理不明确等缺点限制了其进一步商业化应用。全面回顾了Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+长余辉材料的发展历程,系统综述了Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+长余辉材料的余辉发光机理及其在安全标识、生物成像、光催化领域的应用,并对亟需解决的问题及今后的发展方向进行了探讨。
李杨,邱建荣[3]（2021）在《蓬勃发展的长余辉材料》文中研究说明长余辉材料因其特有的激发/发射时间分离模式,在生物医学、能源、环境及新技术领域展现出巨大的应用优势,引起了材料学、物理学、化学及生物医学等领域研究人员的广泛兴趣。介绍了长余辉材料的历史沉淀以及如今生机再现、蓬勃发展的演变过程,阐述了长余辉材料发展中的重要时间节点、关键成果及解决的主要问题。相信在未来,长余辉材料必将以其独特魅力继续焕发无限活力,吸引对其发光现象着迷的研究人员继往开来,不断推陈出新。
Haojun Qian,Chenli Fan,Kaixin Song,Weitao Su,Huanping Wang,Qingming Huang[4]（2021）在《Significant enhancement of blue photoluminescence intensity of Dy3+ modified Sr6Ca4（PO4）6F2:Eu2+ phosphors》文中研究说明Blue-emitting phosphors Sr6 Ca4（PO4）6 F2:Eu2+(SCPF:Eu2+),Sr6 Ca4（PO4）6 F2:Eu2+,Dy3+(SCPF:Eu2+,Dy3+)and Sr6 Ca4（PO4）6 F2:Eu2+,Dy3+,Si4+(SCPF:Eu2+,Dy3+,Si4+) with apatite structure were successfully synthesized by traditional solid-state reaction under reducing atmosphere.Eu2+,Dy3+ and Si4+ions occupy the corresponding sites of Sr2+,Ca2+ and P5+.Strong broad blue photo luminescence band is exhibited in SCPF:Eu2+,Dy3+ phosphor ranging from 400 to 550 nm centered at 455 nm and Dy3+ ions are vital in creating traps.Emission intensity of Eu2+,Dy3+ co-doped SCPF:0.02 Eu2+,0.02 Dy3+ is about 1.8 times that of SCPF:0.02 Eu2+ and electron trap centers serve as energy transporting media.To further elucidate the formation and effect of the specific defect on the luminescence of SCPF:0.02 Eu2+,0.02 Dy3+ phosphor,the thermoluminescence properties,decay curves and thermal stability studies were performed while the Si4+-P5+ charge compensated pho sphor SCPF:0.02 Eu2+,0.02 Dy3+,0.02 Si4+ was prepared as a contrast.All the results of present work indicate that Dy3+ co-doping can obviously enhance photoluminescence intensity of SCPF:0.02 Eu2+ by the electron traps generated by non-equivalence replacement of Dy3+-Ca2+.
王淑欣[5]（2021）在《Ce3+/Eu2+掺杂氮（氧）化物的电子结构和长余辉发光性能研究》文中提出近年来,面向安防监控、食品安全、类太阳光LED健康照明以及夜光照明等领域的迫切需求,研发新型高效深红-近红外发光材料、紫光/蓝光激发新型高效稀土发光材料以及新型高效长余辉发光材料成为业界关注的焦点。Ce3+/Eu2+掺杂氮（氧）化物发光材料由于其丰富的结构多样性、良好的化学稳定性和优异的发光性能具有巨大的发展潜能。因此,本论文主要研究Ce3+/Eu2+掺杂氮（氧）化物发光材料中材料组分和结构对基质材料和掺杂离子电子结构的影响,构建组分-结构-性能相关关系,为新型高性能发光材料的研发提供理论支撑。同时,基于材料的电子结构,设计研发新型氮氧化物长余辉发光材料β-Sialon:Eu2+以及调控暖色调氮化物长余辉发光材料Sr2Si5N8:Eu2+的长余辉性能。本论文主要研究工作及结论如下:（1）通过统计分析Ce3+/Eu2+掺杂氮化物发光材料的结构和光谱数据,结合理论分析,建立了 Ce3+/Eu2+掺杂氮化物发光材料中Ce3+和Eu2+5d能级的晶体场劈裂与材料组分和结构之间的定量相关关系。结果表明配位数越大,晶体场劈裂越小。在配位数相同的情况下,晶体场劈裂εcfs与平均配位键长Rav的负二次方成正比。在相同基质材料中Eu2+5d能级晶体场劈裂是Ce3+的0.76倍。（2）修正了 Ce3+掺杂氮化物发光材料中Ce3+5d能级质心移动与材料组分和结构的定量关系,同时依据键价理论和配位多面体的稳定性提出了确定氮化物中阳离子配位数的统一标准。通常情况下,对中心阳离子的键价贡献大于4%的阴离子与中心阳离子配位,同时考虑到配位多面体需满足具有较高对称性和稳定性的要求,该阈值可在小范围内进行调整。通过分析Ce3+掺杂氮化物发光材料的光谱数据和结构数据,结合发光理论,得到光谱极化率和平均阳离子电负性的定量相关关系。将其与晶体场劈裂研究结果相结合,即可从理论的角度直接预测Ce3+掺杂氮化物发光材料的激发谱特征,对新型氮化物荧光粉的研发具有指导意义。（3）通过统计分析大量Ce3+/Eu2+掺杂无机化合物的结构和光谱数据,结合发光理论,获得了 Ce3+/Eu2+掺杂无机发光材料的斯托克斯位移与基质材料的组分和结构之间的相关关系。斯托克斯位移和有效平均配位键长Rav正相关。在卤化物和硫属化合物中,斯托克斯位移分别按照从氟化物到氯化物到溴化物和从氧化物到硫化物到硒化物的顺序依次降低。而斯托克斯位移和阳离子配位数没有明显的相关关系。（4）发现了β-Sialon:Eu2+的绿光长余辉发光现象,并研究其长余辉性能。DFT计算结果表明Al-O取代Si-N在β-Sialon中引入有效的缺陷中心,使材料具备长余辉性能。通过对比分析激发光谱和余辉激发光谱,发现陷阱填充过程中离化电子主要来自4f基态。基于此,提出一种新型构筑HRBE电子结构图的方法,即使用余辉激发光谱的起始能量估算Eu2+4f能级和基质材料导带底的能量差,从而确定Eu2+4f能级的能量位置。并应用这一方法,构筑β-Sialon的电子结构图,阐明其长余辉机理。（5）通过H3BO3共掺杂提高橙红光长余辉发光材料Sr2Si5N8:Eu2+的长余辉性能。通过分析余辉衰减曲线强度变化,证实H3BO3中B3+和O2-共同起到增强余辉的作用。热释光谱表明Sr2Si5N8:Eu2+,B3+,O2-相对对比样品具有最大陷阱密度。该研究表明B3+可以在硅氮化合物中引入合适的陷阱能级,从而提高其长余辉性能。
周丹丹[6]（2021）在《稀土或铬离子掺杂石榴石发光材料的制备与性能研究》文中研究表明本论文以石榴石结构化合物为基质材料,采用高温固相法成功制备了系列稀十或铬离子掺杂的发光材料。系统地研究了稳定性优异且能被蓝光高效激发的Ce3+掺杂钇铝镓石榴石荧光粉的长余辉发光性能,以及Cr3+掺杂的系列石榴石化合物的发光特性,以期满足不同应用领域对材料发光性能的需求,具体研究内容如下:（1）成功合成了 Y3A12Ga3O12:Ce3+,Yb3+荧光粉,研究了不同的制备条件（如烧结气氛、温度、时间及助熔剂等）对样品结构及余辉性能的影响规律,发现适当降低温度,缩短烧结时间,添加助熔剂,在N2气氛下加压烧结利于荧光粉余辉性能的提高。随后,在优化后的制备工艺下合成了不同B3+含量的荧光粉。H3BO3作为助溶剂提高了样品的结晶性,同时,B3+离子进入四面体格位,形成新的深陷阱能级,使陷阱能级最深达1.1 eV,大幅延长了余辉时间。通过理论和实验相结合,构筑了 Y3Al2Ga3O12:Ce3+,Yb3+,B3+的电子结构图（VRBE图）,并阐明其长余辉发光机理。（2）系统研究了不同格位离子取代对Y3Al2Ga3O12:Ce3+,Yb3+,B3+长余辉发光性能的影响规律,包括Si、Ge、Mg、Si-Mg、Ge-Mg、Si-Ca、Si-N等单元素取代和共取代。发现Si4+替代A13+可有效提高该材料的长余辉发光性能,并系统研究了不同Si含量对对其长余辉性能的影响,研究表明Si添加量x为0.25时,长余辉性能最佳,余辉时间超过40小时。使用初始预加热上升法估算了电子陷阱的分布,建立了 YAGG:Ce,Yb,B,0.25Si的VRBE图和长余辉发光机理图,并借助光激励等表征探讨了其在光信息存储领域潜在的应用价值。随后,对比了 Ce3+、Cr3+,Ce3+、Yb3+及 Ce3+、Cr3+、Yb3+共掺杂对Y3Al2Ga3O12:Ce3+荧光粉余辉性能的影响,发现在基质中含B、Si的基础上,Ce3+、Cr3+共掺杂后,样品的余辉性能最佳。（3）设计并合成了（CaYLu）（MgSc）（AlSiGe）O12:Cr3+荧光粉,实现了650～1100 nm的宽带发射。系统研究了不同Cr3+浓度对荧光粉发光性能的影响。并将其与460 nm的蓝光芯片复合封装了 pc-LED器件,探讨了其在生物成像领域的应用价值。基于Cr3+掺杂的石榴石型近红外发光材料,研究了不同格位多元素共取代对其结构和发光性能的影响,发现不同格位多离子掺杂可有效增加近红外发光的半峰宽。
王森[7]（2021）在《Eu/Dy/Tm/Sm/Bi/Tb/Cr几种离子掺杂的发光材料的合成及发光性质研究》文中指出随着科学技术的进步和产业化进程的推进,发光二极管（LED）已成为新一代照明技术,它具有节能、发光效率高、配光准确、稳定可靠、使用寿命长、性价比高等优点,已广泛应用于城市道路照明、机场、码头、城市照明工程、健康照明、旅游景点、植物照明等场所。主流LED技术采用蓝光激发荧光粉来实现多种颜色混合光,荧光粉的发光性能对LED器件的发光性能有重要影响,尤其体现在发光品质上。随着LED照明对光品质要求的不断提高,利用蓝色或近紫外LED芯片激发混合荧光粉（包括红、绿、蓝、黄、近红外等彩色荧光粉）的技术得到了越来越多的研究。然而,适用于蓝色或近紫外LED芯片激发的发光材料较少,因此,开发和研究适用于市场需求的新型发光材料有重要的理论和实际意义。长余辉是一种特殊的现象,它可以在去除激发源后继续发光。长余辉材料作为一种新型能量存储与电子俘获材料,以其在应急照明与显示、高能射线探测、光学存储及活体成像等领域的广泛应用而备受关注。特别是在活体成像方面,近红外长余辉材料具有其他生物标志物无法比拟的优势,可以避免可见光在组织中的强吸收和散射特性,与可见光材料相比在体内获得高性能的光学成像,然而,现有的红外长余辉材料大部分是含镓元素的,地球地壳中镓的含量非常少,氧化镓作为合成近红外发光材料的原料成本高昂,限制了这类材料的批量生产和应用。因此,开发一种低成本的新型不含镓近红外长余辉材料是十分必要的。本论文主要采用传统的高温固相法为试验方法,合成了一系列LED灯用发光材料,以及新型近红外长余辉材料,并对它们的结构、发光性质、色度学性质、余辉性质及机理等进行了详细的研究和分析。主要包括以下几部分:1、首次以Na3Sc2（PO4）3为基质材料,通过单掺杂或共掺杂Eu2+、Dy3+、Tm3+、Sm3+,合成了不同颜色发光的荧光粉,包括蓝色光、黄色光、桔色光、单一基质白色光,并分别研究了各个荧光粉的荧光光谱、浓度猝灭机制、热稳定性,以及封装成LED器件后的发光性能。结果发现:以Na3Sc2（PO4）3为基质几种荧光粉的热稳定性佳,易被蓝光或近紫外激发;蓝色光荧光粉可替代LED蓝光芯片激发其他荧光粉;通过调整共同掺杂离子的浓度比例,Na3Sc2（PO4）3:Eu2+,Dy3+和Na3Sc2（PO4）3:Tm3+、Dy3+单一基质白光荧光粉可实现从蓝光到黄色光的发光可调,单一基质Na3Sc2（PO4）3:Eu2+,Sm3+荧光粉可实现蓝色光到桔色光发光颜色可调。2、首次以BiCa4（PO4）3O为基质材料,通过单掺杂Dy3+、Tb3+合成了不同颜色发光的荧光粉。文中研究了两种荧光粉的荧光光谱、浓度猝灭机制、热稳定性,以及封装成LED器件后的发光性能。结果发现:BiCa4（PO4）3O:Dy3+和BiCa4（PO4）3O:Tb3+易被蓝光或近紫外激发,BiCa4（PO4）3O:Dy3+、BiCa4（PO4）3O:Tb3+分别发出黄色光和黄绿色光,发光亮度高,且热稳定性佳。3、以Ba3Y4O9基质材料,通过单掺杂或共掺杂Bi3+、Eu3+和Zn2+合成了不同颜色发光的荧光粉。文中研究了两种荧光粉的荧光光谱、浓度猝灭机制、热稳定性,以及封装成LED器件后的发光性能。结果发现:Ba3Y4O9:Bi3+和Ba3Y4O9:Eu3+易被蓝光或近紫外激发,Ba3Y4O9:Bi3+、Ba3Y4O9:Eu3+分别发出绿色光和桔色光;通过调节Bi3+和Eu3+的掺杂比例,Ba3Y4O9:Bi3+,Eu3+可实现从绿色光到桔色光的发光颜色可调;通过调节Zn2+掺杂浓度,Ba3Y4O9:Bi3+,Eu3+,Zn2+也可以实现从绿色光到桔色光的发光颜色可调,我们推测,Zn2+掺杂促进了 Bi3+向Eu3+的能量转移;四种材料发光亮度高,且热稳定性佳。4、首次合成了Mg1.4Zn0.6SnO4:Cr3+近红外长余辉发光材料,文中研究了该长余辉材料的荧光光谱、浓度猝灭机制、热稳定性和余辉性能。结果发现:Mg1.4Zn0.6SnO4:Cr3+易被蓝光或近紫外激发,发出峰值为708和730 nm的近红外光,发光亮度高;在460nm蓝光激发5分钟后,能够持续发出18 h的余辉光;同Mg2SnO4:Cr3+相比,当掺杂了 Zn2+之后,Mg2-xZnxSnO4:Cr3+发光亮度逐渐提升,Mg1.4Zn0.6SnO4:Cr3+的发光亮度分别为Mg2SnO4:Cr3+和Zn2SnO4:Cr3+的发光亮度的2.87倍和3.09倍,当x超过0.6 mol之后Mg2-xZnxSnO4:Cr3+的发光亮度开始下降。该研究为开发不含镓的近红外长余辉材料提供了一种新的思路。
王育华,李根[8]（2020）在《基于Eu2+与Sm3+的几种新型多色长余辉材料》文中进行了进一步梳理长余辉发光材料因其节能环保的特点备受人们关注,目前能够满足实际应用的只有绿色长余辉发光材料,严重缺乏具备一定性能的红、黄色等长波长发射的长余辉发光材料。此外,长余辉发光机制尚未取得共识,所提出的相关机制模型均具有一定的局限性,无法为长余辉发光材料的开发和研究提供有力的理论指导。针对上述问题,主要介绍了近期研制的几种不同余辉颜色的新型长余辉材料,并根据材料发光、余辉等特性对余辉机制进行了探讨。
王志珍[9]（2020）在《Sr3SiO5基暖色调长余辉发光材料的制备、结构与发光性能》文中研究说明暖色调长余辉发光材料一直是长余辉研究领域重点。本论文以硅酸盐Sr3SiO5作为基质材料,采用共沉淀、燃烧法结合高温固相反应法成功制备了系列Eu2+掺杂的暖色调长余辉发光材料,系统地研究了 Si、Sr格位元素调控对材料结构与余辉性能的影响;借助光谱分析和理论计算,阐明了长余辉机理,通过优化制备工艺,获得了高性能的暖色调长余辉发光材料,并探索了其潜在的应用。本论文的主要研究工作及结论如下:（1）设计并制备了低Eu2+掺杂的不同Ge4+含量的Sr3Si1-xGexO5:Eu2+（x=0.0～1.0）长余辉发光材料。研究了 Ge4+含量对长余辉性能的影响,在模拟太阳光辐照条件下,将Sr3SiO5:Eu2+的余辉时间由100 s提升至约7000 s。同时,结合实验光谱数据及DFT计算,我们认为其电子陷阱源于氧缺陷,并构建了 HRBE图对余辉机理给出了合理的解释。（2）制备了 Sr3SiO5:Eu2+,TM（TM=Sc3+,Hf4+,Zr4+,Ti4+,Nb5+）发光材料,并系统地研究了其长余辉发光性能;发现Sr3Si1-xNbxO5:Eu2+具有优异的长余辉发光性能,在紫外光辐照5分钟后,其余辉时间可达14小时,余辉初始亮度可超1000 mcd/m2。随后我们使用EPR等测试手段结合DFT计算系统地研究了 Nb5+对材料余辉性能影响的内在机理,并探讨了在不同领域潜在的应用价值。（3）设计并采用燃烧法结合高温固相反应法成功合成了一系列（Sr1-xBax）3SiO5:0.05%Eu2+,Nb5+长余辉发光材料。通过优化Sr2+/Ba2+比值,调整带隙及陷阱深度,发现Ba含量为x=0.12时其发光颜色最接近商业化的Y2O2S:Eu3+,Mg2+,Ti4+色坐标,且具有超过16小时的余辉时间,该体系中最长时间超过20小时,这是目前在该波长的所有暖色调长余辉发光材料中性能最佳的材料。同时,我们将该材料与目前市售的暖色调长余辉发光材料进行了系统的比较,二者性能接近,表明该体系具有很大的商业潜力。上述研究结果可为新型长余辉发光材料的研发提供参考,具有重要的学术意义和潜在应用价值。
陈玉林[10]（2019）在《Ca2SnO4：Tb3+长余辉材料合成及掺杂剂对发光性能影响研究》文中提出长余辉发光是一种具有重要意义的光学现象。这种材料在激发源停止后,几分钟,几小时甚至更长时间都能够观察到发光现象,是一种特殊的功能材料,一种无污染,节能环保的新型照明和电子显示材料。这些特性使的长余辉发光材料在夜光指示、安全标识、光学储存和生物标记等特殊领域具有独特的用途。近年来长余辉的相关研究实现了飞跃式发展。同时也随之产生了一些关键问题,例如长余辉机理尚不明确、余辉时间不长等。目前铝酸盐材料存在着抗湿性差,颜色单一等缺点,硅酸盐虽结构稳定,但发光性能还远不如铝酸盐体系,研究新型结构的长余辉材料成为了必然趋势。本文以高温固相法制备锡酸钙基长余辉发光材料为目标,研究了制备工艺条件对发光材料性能的影响,探讨了 Li+和R3+（R3+=B3+,A13+,Ga3+）掺杂对材料的结构和发光性能的影响。主要研究内容及结论如下:（1）采用高温固相法分别在不同温度条件下制备合成Ca2SnO4:Tb3+长余辉材料,通过对比不同温度下样品的XRD、PL和余辉衰减曲线得出制备这种发光材料的最佳温度为1400℃。然后利用固相法在1400℃条件下制备掺杂不同浓度Tb3+离子的一系列长余辉材料,同样通过XRD检测材料的物相组成,PL检测了材料的发光光谱以及余辉衰减曲线,得出发光中心离子Tb3+掺入量为0.100%时余辉强度最高衰减时间也最慢,同时也分析了相应的发光机理。（2）采用高温固相法成功合成了具有绿光发射的Ca2Sn04:Tb3+,Li+长余辉发光材料。并利用X射线粉末衍射（XRD）、荧光分光光度计（PL）和余辉衰减测量等方法研究了它们的物相组成和发光性能。实验结果表明,加入少量锂离子（Li+）对Ca2SnO4:Tb3+的晶体结构并无明显影响,Ca2SnO4:Tb3+,Li+均为单相固溶体。它们的发光性能与Li+掺杂模式密切相关。Li+离子掺杂引起的晶格畸变,改变了Tb3+离子周围局部晶体场的对称性,有利于提升材料的发光性能,形成的氧空位和合适深度的陷阱提高了材料的余辉性能。然而,Lii与V"ca的缔合以及过多Li+离子引起的浓度猝灭效应都会降低材料的余辉发光性能。提出了它们的余辉机理。（3）采用高温固相法成功的制备出了由R3+（R3+=B3+,A13+,Ga3+）共掺杂的Ca2SnO4:Tb3+荧光粉。所有的共掺杂R3+离子均能有效提高其发光效率,改善发光效果,而掺入A13+的提升效果最为突出,明显优于其它两种离子,当Al3+离子的掺杂量超过0.07时,由于浓度猝灭效应使得发光性能降低。掺入的R3+离子导致基质的晶格产生畸变以及Tb3+周围局部晶体场对称性的改变,可以增强荧光粉的发光强度。V"o的形成和增加在改善荧光体的余辉性能方面起主导作用,而R-O的形成也对余辉性能起着重要作用。
二、Photoluminescence of Long Lasting Phosphors Ca_2MgSi_2O_7∶Eu~(2+),Dy~(3+)（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、Photoluminescence of Long Lasting Phosphors Ca_2MgSi_2O_7∶Eu~(2+),Dy~(3+)（论文提纲范文）
（1）Ca2MgSi2O7基白光余辉材料的研究及应用（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 制备方法的优化 |
| 2 离子改性 |
| 2.1 Ca2MgSi2O7∶Dy3+,R+ |
| 2.1.1 Ca2MgSi2O7∶Dy3+,Li+/Na+/K+ |
| 2.1.2 Ca2MgSi2O7∶Dy3+,Tm3+ |
| 2.2 Ca2MgSi2O7∶Ce3+/Tb3+/Eu2+ |
| 2.2.1 Ca2MgSi2O7∶Ce3+,Eu2+ |
| 2.2.2 Ca2MgSi2O7∶Ce3+,Tb3+ |
| 2.2.3 Ca2MgSi2O7∶Eu3+,Ce3+,Tb3+ |
| 3 发光原理 |
| 4 应用领域 |
| 4.1 WLED |
| 4.2传感器 |
| 5 结语和展望 |
（2）Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+长余辉材料的余辉机理及应用进展（论文提纲范文）
| 1 引言 |
| 2 Sr2Mg Si2O7∶Eu2+,Dy3+长余辉材料的结构特点 |
| 3 Sr2Mg Si2O7∶Eu2+,Dy3+长余辉材料的余辉机理 |
| 3.1 空穴转移模型 |
| 3.2 能量传递模型 |
| 3.3 电子陷阱模型 |
| 3.4 氧空位模型 |
| 4 Sr2Mg Si2O7∶Eu2+,Dy3+长余辉材料的应用 |
| 4.1 长余辉材料在发光照明方面的应用 |
| 4.2 长余辉纳米材料的生物医学应用 |
| 4.3 光催化应用 |
| 5 总结与展望 |
（3）蓬勃发展的长余辉材料（论文提纲范文）
| 1 引言 |
| 2 长余辉及长余辉材料名称 |
| 3 传统可见光长余辉材料 |
| 4 新型长余辉材料 |
| 4.1 近红外长余辉材料 |
| 4.2 近红外长余辉纳米材料 |
| 4.3 紫外长余辉材料 |
| 4.4 有机长余辉材料 |
| 5 展望 |
（5）Ce3+/Eu2+掺杂氮（氧）化物的电子结构和长余辉发光性能研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 Ce~(3+)/Eu~(2+)掺杂无机发光材料概述 |
| 1.2.1 Ce~(3+)/Eu~(2+)掺杂LED荧光粉概述 |
| 1.2.2 Ce~(3+)/Eu~(2+)掺杂长余辉发光材料概述 |
| 1.3 Ce~(3+)/Eu~(2+)掺杂氮(氧)化物发光材料研究进展 |
| 1.3.1 Ce~(3+)/Eu~(2+)掺杂氮(氧)化物荧光粉研究进展 |
| 1.3.2 Ce~(3+)/Eu~(2+)掺杂氮(氧)化物长余辉发光材料研究进展 |
| 1.4 Ce~(3+)/Eu~(2+)离子发光相关理论介绍及研究进展 |
| 1.4.1 质心移动 |
| 1.4.2 晶体场劈裂 |
| 1.4.3 斯托克斯位移 |
| 1.4.4 发光效率及发光稳定性 |
| 1.5 稀土掺杂无机化合物的电子结构及应用 |
| 1.5.1 电子结构图的构筑 |
| 1.5.2 HRBE和VRBE电子结构图的应用 |
| 1.6 课题的研究意义与研究内容 |
| 1.6.1 研究意义 |
| 1.6.2 研究内容 |
| 2 研究方法 |
| 2.1 数据统计分析 |
| 2.2 实验方法 |
| 2.2.1 实验原料 |
| 2.2.2 制备方法 |
| 2.2.3 测试与表征 |
| 2.3 理论计算 |
| 3 Ce~(3+)/Eu~(2+)掺杂氮(氧)化物发光材料的电子结构 |
| 3.1 Ce~(3+)/Eu~(2+)掺杂氮化物发光材料的晶体场劈裂 |
| 3.1.1 数据选取 |
| 3.1.2 Ce~(3+)/Eu~(2+)掺杂氮化物荧光粉的晶体场劈裂 |
| 3.1.3 本节小结 |
| 3.2 Ce~(3+)掺杂氮化物发光材料的质心移动 |
| 3.2.1 数据选取 |
| 3.2.2 氮化物中阳离子配位数的确定原则 |
| 3.2.3 Ce~(3+)掺杂氮化物荧光粉的质心移动 |
| 3.2.4 本节小结 |
| 3.3 Ce~(3+)/Eu~(2+)掺杂无机发光材料的斯托克斯位移 |
| 3.3.1 数据选取 |
| 3.3.2 化学组分对斯托克斯位移的影响 |
| 3.3.3 化学组分对声子能量和黄昆因子的影响 |
| 3.3.4 结构对斯托克斯位移的影响 |
| 3.3.5 声子能量-黄昆因子-斯托克斯位移相关关系及物理起源 |
| 3.3.6 本节小结 |
| 3.4 本章总结 |
| 4 Eu~(2+)掺杂氮(氧)化物发光材料的长余辉性能 |
| 4.1 β-Sialon:Eu~(2+)长余辉发光性能与电子结构研究 |
| 4.1.1 样品制备与表征 |
| 4.1.2 XRD分析与晶体结构 |
| 4.1.3 长余辉性能分析 |
| 4.1.4 电子结构与长余辉机理分析 |
| 4.1.5 本节小结 |
| 4.2 Sr_2Si_5N_8:Eu~(2+),B~(3+),O~(2-)长余辉发光性能研究 |
| 4.2.1 样品制备与表征 |
| 4.2.2 XRD分析与晶体结构 |
| 4.2.3 发光性能分析 |
| 4.2.4 长余辉性能分析 |
| 4.2.5 Sr_2Si_5N_8:Eu~(2+),B~(3+),O~(2-)的长余辉机理 |
| 4.2.6 本节小结 |
| 4.3 本章总结 |
| 5 结论与展望 |
| 5.1 研究结论 |
| 5.2 前景展望 |
| 参考文献 |
| 作者简历及在学研究成果 |
| 学位论文数据集 |
（6）稀土或铬离子掺杂石榴石发光材料的制备与性能研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 发光材料概述 |
| 1.1.1 稀土或Cr~(3+)掺杂无机发光材料的组成 |
| 1.1.2 发光材料的发光过程 |
| 1.1.3 发光材料的分类 |
| 1.2 长余辉发光材料 |
| 1.2.1 长余辉发光材料的发展历程 |
| 1.2.2 长余辉发光材料的分类 |
| 1.2.3 长余辉发光材料的余辉机理 |
| 1.3 石榴石发光材料 |
| 1.3.1 石榴石的结构与组成 |
| 1.3.2 Ce~(3+)掺杂石榴石发光材料的研究进展 |
| 1.3.3 Cr~(3+)掺杂石榴石发光材料的研究进展 |
| 1.4 稀土和过渡金属离子发光的基本理论 |
| 1.4.1 稀土离子的电子层结构 |
| 1.4.2 稀土离子的光谱项 |
| 1.4.3 稀土离子的能级跃迁及光谱特性 |
| 1.4.4 过渡金属离子d电子跃迁及晶体场理论 |
| 1.5 本论文的研究意义、研究思路及研究内容 |
| 1.5.1 本论文的研究意义 |
| 1.5.2 本论文的研究思路及研究内容 |
| 2 实验部分 |
| 2.1 实验原料 |
| 2.2 合成方法 |
| 2.3 实验设备 |
| 2.4 测试与表征 |
| 2.4.1 X射线衍射 |
| 2.4.2 扫描电镜及能谱测试 |
| 2.4.3 稳态荧光光谱测试 |
| 2.4.4 紫外-可见光漫反射光谱测试 |
| 2.4.5 长余辉性能测试 |
| 3 Y_3Al_2Ga_3O_(12):Ce~(3+),Yb~(3+)长余辉发光材料的制备与性能研究 |
| 3.1 制备条件对Y_3Al_2Ga_3O_(12):Ce~(3+),Yb~(3+)结构及余辉性能的影响 |
| 3.1.1 样品的制备与表征 |
| 3.1.2 烧结气氛的影响 |
| 3.1.3 烧结温度与烧结时间的影响 |
| 3.1.4 助熔剂的影响 |
| 3.2 B~(3+)对Y_3Al_2Ga_3O_(12):Ce~(3+),Yb~(3+)结构及长余辉性能的影响 |
| 3.2.1 样品的制备与表征 |
| 3.2.2 样品的结构与形貌 |
| 3.2.3 发光性能 |
| 3.2.4 长余辉性能 |
| 3.2.5 热释光激发光谱与电子充放过程 |
| 3.2.6 长余辉机理研究 |
| 3.3 本章小结 |
| 4 不同格位取代对Y_3Al_2Ga_3O_(12):Ce~(3+),Yb~(3+),B~(3+)长余辉发光性能的影响 |
| 4.1 不同格位取代对Y_3Al_2Ga_3O_(12):Ce~(3+),Yb~(3+),B~(3+)结构及发光性能的影响 |
| 4.1.1 样品制备与表征 |
| 4.1.2 结构分析 |
| 4.1.3 发光性能 |
| 4.1.4 长余辉性能 |
| 4.2 Si~(4+)对Y_3Al_2Ga_3O_(12):Ce~(3+),Yb~(3+),B~(3+)长余辉性能的影响 |
| 4.2.1 样品制备与表征 |
| 4.2.2 成分与结构 |
| 4.2.3 发光性能 |
| 4.2.4 长余辉性能 |
| 4.2.5 热释光激发光谱与电子充放过程 |
| 4.2.6 VRBE能级图构筑与长余辉机理研究 |
| 4.2.7 热和光激励发光及潜在应用 |
| 4.3 离子共掺对Y_3Al_2SiGa_3O_(12):Ce~(3+)长余辉性能的影响 |
| 4.3.1 样品制备与表征 |
| 4.3.2 长余辉性能 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 Cr~(3+)掺杂石榴石发光材料的制备与性能研究 |
| 5.1 Cr~(3+)掺杂(CaYLu)(MgSc) (AlSiGe)O_(12)的制备与发光性能研究 |
| 5.1.1 样品制备与表征 |
| 5.1.2 晶体结构分析 |
| 5.1.3 发光及热猝灭性能分析 |
| 5.1.4 NIR-LED封装及生物组织穿透性实验 |
| 5.2 石榴石基质不同格位多种离子占据对Cr~(3+)发光的影响研究 |
| 5.2.1 样品制备与表征 |
| 5.2.2 结构分析 |
| 5.2.3 发光性能分析 |
| 5.3 本章小结 |
| 6 结论 |
| 参考文献 |
| 作者简历及在学研究成果 |
| 学位论文数据集 |
（7）Eu/Dy/Tm/Sm/Bi/Tb/Cr几种离子掺杂的发光材料的合成及发光性质研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 发光及发光离子 |
| 1.1.1 发光简述 |
| 1.1.2 常见发光离子 |
| 1.1.2.1 稀土离子 |
| 1.1.2.2 过渡金属离子 |
| 1.1.2.3 s~2构型的离子 |
| 1.2 LED用发光材料 |
| 1.2.1 LED工作原理 |
| 1.2.2 LED用发光材料的特性 |
| 1.2.3 已有适用于LED的发光材料 |
| 1.2.4 LED封装工艺对发光材料的要求 |
| 1.3 长余辉发光材料 |
| 1.4 发光材料的主要表征手段 |
| 1.5 论文选题意义及主要研究内容 |
| 1.5.1 论文选题意义 |
| 1.5.2 本论文的主要研究内容 |
| 第二章 实验部分 |
| 2.1 主要试剂 |
| 2.2 样品制备 |
| 2.3 样品测试表征 |
| 第三章 以Na_3Sc_2(PO_4)_3为基质的荧光材料的合成及性质研究 |
| 3.1 单一基质白光Na_3Sc_2(PO_4)_3:Eu~(2+),Dy~(3+)荧光材料的合成及性质研究 |
| 3.1.1 样品制备 |
| 3.1.2 结果与讨论 |
| 3.1.2.1 结构表征与物相分析 |
| 3.1.2.2 形态分析 |
| 3.1.2.3 NSPO:Eu~(2+),Dy~(3+)的发光性质研究 |
| 3.1.2.4 NSPO:Eu~(2+),Dy~(3+)的能量转移与CIE色度坐标 |
| 3.1.2.5 NSPO:0.01Eu~(2+),0.04Dy~(3+)的热稳定性 |
| 3.1.2.6 NSPO:Eu~(2+),Dy~(3+)封装成LED器件的电致发光性质 |
| 3.1.3 小结 |
| 3.2 蓝色Na_3Sc_2(PO_4)_3:Tm~(3+)荧光材料的合成及性质研究 |
| 3.2.1 样品制备 |
| 3.2.2 结果与讨论 |
| 3.2.2.1 结构表征与物相分析 |
| 3.2.2.2 NSPO:Tm~(3+)的形貌分析 |
| 3.2.2.3 NSPO:Tm~(3+)的发光性质研究 |
| 3.2.2.4 NSPO:Tm~(3+)的热稳定性 |
| 3.2.2.5 NSPO:Tm~(3+)的发光机理 |
| 3.2.2.6 NSPO:Tm~(3+)封装成LED器件的电致发光性质 |
| 3.2.3 小结 |
| 3.3 单一基质白光Na_3Sc_2(PO_4)_3:Tm~(3+),Dy~(3+)荧光材料的合成及性质研究 |
| 3.3.1 样品制备 |
| 3.3.2 结果与讨论 |
| 3.3.2.1 结构表征与物相分析 |
| 3.3.2.2 形态分析 |
| 3.3.2.3 NSPO:Tm~(3+),Dy~(3+)的发光性质研究 |
| 3.3.2.4 NSPO:Tm~(3+),Dy~(3+)的能量转移与CIE色度坐标 |
| 3.3.2.5 NSPO:0.06Tm~(3+),0.06Dy~(3+)的热稳定性 |
| 3.3.2.6 NSPO:Tm~(3+),Dy~(3+)封装成LED器件的电致发光性质 |
| 3.3.3 小结 |
| 3.4 颜色可调Na_3Sc_2(PO_4)_3:Eu~(2+),Sm~(3+)的合成及性质研究 |
| 3.4.1 样品制备 |
| 3.4.2 结果与讨论 |
| 3.4.2.1 结构表征与物相分析 |
| 3.4.2.2 形态分析 |
| 3.4.2.3 NSPO:Eu~(2+),Sm~(3+)的发光性质研究 |
| 3.4.2.4 NSPO:Eu~(2+),Sm~(3+)的能量转移与CIE色度坐标 |
| 3.4.2.5 NSPO:0.001Eu~(2+),0.05Sm~(3+)的热稳定性 |
| 3.4.3 小结 |
| 第四章 以BiCa_4(PO_4)_3O为基质的荧光材料的合成及性质研究 |
| 4.1 黄光荧光材料BiCa_4(PO_4)_3O:Dy~(3+)的合成及性质研究 |
| 4.1.1 样品制备 |
| 4.1.2 结果与讨论 |
| 4.1.2.1 结构表征与物相分析 |
| 4.1.2.2 BCPO:Dy~(3+)的发光性质研究 |
| 4.1.2.3 BCPO:0.05Dy~(3+)的热稳定性 |
| 4.1.2.4 BCPO:O.05Dy~(3+)LED器件的电致发光性质 |
| 4.1.3 小结 |
| 4.2 黄绿色荧光材料BiCa_4(PO_4)_3O:Tb~(3+)的合成及发光性质研究 |
| 4.2.1 样品制备 |
| 4.2.2 结果与讨论 |
| 4.2.2.1 结构表征与物相分析 |
| 4.2.2.2 BCPO:Tb~(3+)的形貌分析 |
| 4.2.2.3 BCPO:Tb~(3+)的发光性质研究 |
| 4.2.2.4 BCPO:Tb~(3+)的热稳定性 |
| 4.2.2.5 BCPO:0.07Tb~(3+)封装成LED器件的电致发光性质 |
| 4.2.3 小结 |
| 第五章 以Ba_3Y_4O_9为基质荧光材料的合成及性质研究 |
| 5.1 红色荧光材料Ba_3Y_4O_9:Eu~(3+)的合成及性质研究 |
| 5.1.1 样品制备 |
| 5.1.2 结果与讨论 |
| 5.1.2.1 结构表征与物相分析 |
| 5.1.2.2 BYO:Eu~(3+)的形貌分析 |
| 5.1.2.3 BYO:Eu~(3+)材料的发光性质研究 |
| 5.2 绿色荧光材料Ba_3Y_(4-y)O_9:yBi~(3+)和Ba_(2.92)Y_(4-y)O_9:0.08Zn~(2+),yBi~(3+)的合成及性质研究 |
| 5.2.1 样品制备 |
| 5.2.2 结果与讨论 |
| 5.2.2.1 结构表征与物相分析 |
| 5.2.2.2 Ba_3Y_(3.96)O_9:0.04Bi~(3+)和Ba_(2.92)Y_(3.96)O_9:0.08Zn~(2+),0.04Bi~(3+)材料的发光性质研究 |
| 5.3 颜色可调Ba_3Y_4O_9:Bi~(3+),Eu~(3+)荧光材料的合成及性质研究 |
| 5.3.1 样品制备 |
| 5.3.2 结果与讨论 |
| 5.3.2.1 结构表征与物相分析 |
| 5.3.2.2 BYO:0.04Bi~(3+),0.20Eu~(3+)的形貌分析 |
| 5.3.2.3 BYO:0.04Bi~(3+),xEu~(3+)的发光性质研究 |
| 5.3.3 小结 |
| 5.4 Ba_(3-x)Y_(3.76)O_9:0.04Bi~(3+),0.2Eu~(3+),xZn~(2+)荧光材料的合成及性质研究 |
| 5.4.1 样品制备 |
| 5.4.2 结果与讨论 |
| 5.4.2.1 结构表征与物相分析 |
| 5.4.2.2 BYO:0.04Bi~(3+),0.2Eu~(3+),xZn~(2+)的发光性质研究 |
| 5.4.3 小结 |
| 第六章 宽带近红外发射Mg_(1.4)Zn_(0.6)SnO_4:Cr~(3+)长余辉材料的合成及发光性质研究 |
| 6.1 样品制备 |
| 6.2 结果与讨论 |
| 6.2.1 结构表征与物相分析 |
| 6.2.2 Mg_(1.4)Zn_(0.6)SnO_4:0.03Cr~(3+)的形貌分析 |
| 6.2.3 Mg_(2-x)Zn_xSnO_4系列荧光材料的发光性质研究 |
| 6.2.4 Mg_(1.4)Zn_(0.6)SnO_4:0.03Cr~(3+)的热稳定性 |
| 6.2.5 Mg_(1.4)Zn_(0.6)SnO_4:yCr~(3+)的长余辉发光性能 |
| 6.2.6 Mg_(1.4)Zn_(0.6)SnO_4:0.005Cr~(3+)的热释光性能 |
| 6.2.7 Mg_(2-x)Zn_xSnO_4:Cr~(3+)的长余辉发光机理 |
| 6.3 小结 |
| 第七章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 |
（8）基于Eu2+与Sm3+的几种新型多色长余辉材料（论文提纲范文）
| 1 Eu2+激活的长余辉材料 |
| 2 Sm3+激活的长余辉材料 |
| 3 结 语 |
（9）Sr3SiO5基暖色调长余辉发光材料的制备、结构与发光性能（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 长余辉发光材料概述 |
| 1.1.1 长余辉发光材料的发展历程 |
| 1.1.2 商用长余辉发光材料分类 |
| 1.2 稀土掺杂固体发光材料相关理论 |
| 1.2.1 稀土离子的电子层结构 |
| 1.2.2 稀土离子的能级跃迁及光谱特性 |
| 1.3 Eu~(2+)离子掺杂的长余辉发光材料 |
| 1.3.1 Eu~(2+)掺杂的冷色调长余辉发光材料 |
| 1.3.2 Eu~(2+)掺杂的暖色调长余辉发光材料 |
| 1.3.3 其他的长余辉发光材料 |
| 1.3.4 长余辉发光材料的余辉机理 |
| 1.3.5 热释光介绍及分析方法 |
| 1.3.6 M_3SiO_5的晶体结构与合成 |
| 1.3.7 Sr_3SiO_5:Eu~(2+)体系研究进展 |
| 1.4 本论文研究意义、主要内容及技术路线 |
| 1.4.1 研究目的、思路和意义 |
| 1.4.2 研究内容 |
| 1.4.3 技术路线 |
| 2 实验部分 |
| 2.1 实验原料 |
| 2.2 实验设备 |
| 2.3 样品合成 |
| 2.3.1 共沉淀法 |
| 2.3.2 燃烧法 |
| 2.4 测试与表征 |
| 2.4.1 X射线粉末衍射 |
| 2.4.2 稳态光谱测试 |
| 2.4.3 长余辉性能测试 |
| 2.4.4 EPR测试 |
| 3 Sr_3Si_(1-x)O_5:Eu~(2+),xGe~(4+)长余辉发光材料的制备与性能 |
| 3.1 样品制备与表征 |
| 3.1.1 样品制备 |
| 3.1.2 样品表征 |
| 3.1.3 计算方法 |
| 3.2 结果与讨论 |
| 3.2.1 XRD分析 |
| 3.2.2 稳态发光性能分析 |
| 3.2.3 长余辉性能 |
| 3.2.4 电子陷阱的第一性原理计算 |
| 3.2.5 热释光激发光谱与电子充放过程 |
| 3.2.6 HRBE能级图构筑与长余辉机理研究 |
| 3.3 本章小结 |
| 4 Sr_3Si_(1-x)Nb_xO_5:Eu~(2+)长余辉发光材料的结构与发光性能 |
| 4.1 样品制备与表征 |
| 4.1.1 样品制备 |
| 4.1.2 样品表征 |
| 4.1.3 计算方法 |
| 4.2 结果与讨论 |
| 4.2.1 XRD与结构分析 |
| 4.2.2 余辉性能分析 |
| 4.2.3 余辉激发光谱及电子顺磁共振分析 |
| 4.2.4 DFT计算与余辉机理 |
| 4.2.5 Sr_3SiO_5:Eu~(2+),Nb~(5+)在多彩余辉及信息存储的应用 |
| 4.3 本章小结 |
| 5 (Sr,Ba)_3SiO_5:Eu~(2+),Nb~(5+)橙色长余辉发光材料的制备与性能 |
| 5.1 样品制备与表征 |
| 5.1.1 样品制备 |
| 5.1.2 样品表征 |
| 5.2 结果与讨论 |
| 5.2.1 Ba~(2+)含量对余辉性能的影响 |
| 5.2.2 余辉性能 |
| 5.2.3 热释光与余辉激发光谱 |
| 5.2.4 优异的长余辉发光性能 |
| 5.2.5 余辉机理 |
| 5.3 本章小结 |
| 6 结论与展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 作者简历及在学研究成果 |
| 学位论文数据集 |
（10）Ca2SnO4：Tb3+长余辉材料合成及掺杂剂对发光性能影响研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 发光材料的概述 |
| 1.2 长余辉发光材料概述 |
| 1.3 主要的发光中心离子 |
| 1.4 长余辉材料的主要制备方法 |
| 1.4.1 高温固相法 |
| 1.4.2 溶胶凝胶法 |
| 1.4.3 燃烧合成法 |
| 1.4.4 水热合成法 |
| 1.4.5 化学共沉淀法 |
| 1.4.6 所有制备方法的总结概括 |
| 1.5 掺杂剂对材料发光性能的影响 |
| 1.6 本论文的选题意义及研究内容 |
| 第2章 固相法制备Ca_2SnO_4:Tb~(3+)长余辉材料 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验试剂 |
| 2.3 实验仪器 |
| 2.4 Ca_2SnO_4:Tb~(3+)长余辉材料的制备 |
| 2.5 Ca_2SnO_4:Tb~(3+)长余辉材料的表征 |
| 2.5.1 Ca_2SnO_4:Tb~(3+)长余辉材料的物相分析 |
| 2.5.2 Ca_2SnO_4:Tb~(3+)长余辉材料的PL分析 |
| 2.5.3 Ca_2SnO_4:Tb~(3+)长余辉材料的余辉衰减分析 |
| 2.6 结果与讨论 |
| 2.7 本章小结 |
| 第3章 Li_2CO_3作为共掺剂对Ca_2SnO_4:Tb~(3+)长余辉材料的影响 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验试剂 |
| 3.3 实验仪器 |
| 3.4 共掺杂Li+的Ca_2SnO_4:Tb~(3+)长余辉材料的制备 |
| 3.5 共掺杂Li+的Ca_2SnO_4:Tb~(3+)长余辉材料的表征 |
| 3.5.1 Ca_2SnO_4:Tb~(3+),Li~+长余辉材料的物相分析 |
| 3.5.2 Ca_2SnO_4:Tb~(3+),Li~+长余辉材料的PL分析 |
| 3.5.3 Ca_2SnO_4:Tb~(3+),Li~+长余辉材料的余辉衰减分析 |
| 3.6 结果与讨论 |
| 3.7 本章小结 |
| 第4章 主族元素R~(3+)(R~(3+)=B~(3+),Al~(3+),Ga~(3+))离子掺杂对Ca_2SnO_4:Tb~(3+)长余辉材料的影响 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验试剂 |
| 4.3 实验仪器 |
| 4.4 主族元素R~(3+)离子掺杂Ca_2SnO_4:Tb~(3+)长余辉材料的制备 |
| 4.5 Ca_2SnO_4:Tb~(3+)长余辉材料样品的表征 |
| 4.5.1 Ca_2SnO_4:Tb~(3+),R~(3+)长余辉材料的物相分析 |
| 4.5.2 Ca_2SnO_4:Tb~(3+),R~(3+)长余辉材料的PL分析 |
| 4.5.3 Ca_2SnO_4:Tb~(3+),R~(3+)长余辉材料的余辉衰减分析 |
| 4.6 结果与讨论 |
| 4.7 本章小结 |
| 第5章 结论 |
| 参考文献 |
| 硕士期间发表的论文 |
| 致谢 |
四、Photoluminescence of Long Lasting Phosphors Ca_2MgSi_2O_7∶Eu~(2+),Dy~(3+)（论文参考文献）
- [1]Ca2MgSi2O7基白光余辉材料的研究及应用[J]. 王岳,武世然,雷伟岩,王崇,沈毅. 中国陶瓷, 2021(10)
- [2]Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+长余辉材料的余辉机理及应用进展[J]. 马占峰,刘硕,裴浪,钟家松. 激光与光电子学进展, 2021(15)
- [3]蓬勃发展的长余辉材料[J]. 李杨,邱建荣. 激光与光电子学进展, 2021(15)
- [4]Significant enhancement of blue photoluminescence intensity of Dy3+ modified Sr6Ca4（PO4）6F2:Eu2+ phosphors[J]. Haojun Qian,Chenli Fan,Kaixin Song,Weitao Su,Huanping Wang,Qingming Huang. Journal of Rare Earths, 2021(08)
- [5]Ce3+/Eu2+掺杂氮（氧）化物的电子结构和长余辉发光性能研究[D]. 王淑欣. 北京科技大学, 2021(08)
- [6]稀土或铬离子掺杂石榴石发光材料的制备与性能研究[D]. 周丹丹. 北京科技大学, 2021(08)
- [7]Eu/Dy/Tm/Sm/Bi/Tb/Cr几种离子掺杂的发光材料的合成及发光性质研究[D]. 王森. 中国科学技术大学, 2021(09)
- [8]基于Eu2+与Sm3+的几种新型多色长余辉材料[J]. 王育华,李根. 中国稀土学报, 2020(03)
- [9]Sr3SiO5基暖色调长余辉发光材料的制备、结构与发光性能[D]. 王志珍. 北京科技大学, 2020(01)
- [10]Ca2SnO4：Tb3+长余辉材料合成及掺杂剂对发光性能影响研究[D]. 陈玉林. 华北电力大学(北京), 2019(01)