原子层沉积市场发展前景调研报告

问：原子层沉积的分析

1. 答：从原理上说，ALD是通过化学反应得到生成物，但在沉积反应原理、沉积反应条件的要求和沉积层的质量上都与传统的CVD不同，在传统CVD工艺过程中，化学蒸汽不断通入真空室内，因此该沉积过程是连续的，沉积薄膜的厚度和温度、压力、气体流量以及流动的均匀性、时间等多种因素有关；在ALD工艺过程中，则是将不同的反应前驱物以气体脉冲的形式交替送入反应室中，因此并非一个连续的工艺过程。相对于传统的沉积工艺而言，ALD在膜层的均匀性、阶梯覆盖率以及厚度控制等方面都具有明显的优势。
   在某些应用中，需要在具有很大长径比的内腔表面镀膜，极限的情况下长径比会达到15甚至20，采用传统的镀膜方法是无法实现的，而原子层沉积技术由于是通过在基底表面形成吸桐握首附层，进一步通过反应生成薄膜，因而在这方面具有独特的优势，可以在大长径比的内腔表面形成厚度均匀的薄膜。
   工作原理图近年来，对于X射线谱段光学薄膜的需求和研究也日益增加。由于材料的光学常数和性能在X射线区随波长的变化非常显著，同时，在X射线多层膜制备过程中，对基底表面粗糙度要求很高，膜层也很薄，难于控制，这些问题目前在光学薄膜的研究中，仍然是研究的难点。由于ALD技术是通过反应前驱物在表面形成化学吸附后，反应生成薄膜，其主要特点是适合沉积厚度很薄的薄膜，而且成膜质量很好，在X射线光学薄膜器件制备方面具有绝对优势。
   光子晶体是20世纪80年代末提出的新概念和新材料，由于存在光子禁带和光子局域而局数具有很广泛的应用前景。由于光子晶体是一种人造微结构，自然界里只存在有限几种，因此，光子晶体的制作技术，一直是研究的热点。原子层沉积技术由于可以精确控制膜层，所获得的高度均匀的表面对光子禁带特性有很大影响，为皮薯获得高性能光子晶体结构提供了一条灵活有效的途径。

问：原子层沉积的应用

1. 答：技术由于其沉积参数的高度可控型（厚度、成份和结构）
   原子层沉积（Atomic Layer Deposition，ALD），最初称为原子层外延（Atomic Layer Epitaxy，ALE），也称为原子层化学气相沉积（Atomic Layer Chemical Vapor Deposition，ALCVD）。原子层沉积是在一个加热反应器中的衬底上连续引入至少两种气相物种，化学吸附的过程直至表面饱和时就自动终止，适当的过程温度阻碍了分子在表面的物理吸附。
   目前可以沉积的材料包括：氧化物，氮化物，，金属，碳化物，复合结构，，纳米薄层等。 中空纳米管，隧道势垒层，光电电池性能的提高，纳米孔仿肢大道尺寸的控制，高高宽比纳米图形，（MEMS）的反静态阻力涂层和疏水涂层的种子层，纳饥昌米晶体，ZnSe涂层，纳米结构，中空纳米碗，存储硅涂层，纳米颗粒的涂层，纳备竖米孔内部的涂层，纳米线的涂层。
   上述领域并不代表原子层沉积技术的所有可能应用领域，随着科技的发展在不远的将来将会发现其越来越多的应用。根据该技术的反应原理特征，各类不同的材料都可以沉积出来。已经沉积的材料包括金属、氧化物、碳（氮、硫、硅）化物、各类和超导材料等。 现在原子层沉积系统有国际品牌和自主品牌两类。在国外品牌以（cambridge)最为悠久，全球销售量几百台。其次以的BENEQ和picosun，在高端ALD领域投入大量研发工作。近几年，在国内已经有几家设备公司先后完成研发，在市场上推出自己的机型。

问：原子层沉积技术的缺点

1. 答：1、目哪埋前ald设备的机柜均为一体式，占地空间大，不方便运输。
   2、ald设备的操李陆蚂作系统与电控系统在一起，操作不便，降低使悉镇用效果。